[發明專利]光伏器件中吸收層的V族摻雜方法

在審

• 申請號: 201980010956.0
• 申請日: 2019-01-14
• 公開（公告）號: CN111630669A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: S·格羅弗;陸定原;R·馬利克;熊剛
• 申請（專利權）人: 第一陽光公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 童春媛;楊思捷

根據本文提供的實施方案，用于摻雜吸收層的方法可包括使吸收層與退火化合物接觸。退火化合物可包含氯化鎘和包含陰離子和陽離子的V族鹽。陰離子、陽離子或二者可包含V族元素。方法可包括使吸收層退火，由此用退火化合物的V族元素的至少一部分摻雜吸收層。

背景

本說明書主要涉及用V族摻雜劑摻雜光伏器件的方法，更具體地講，涉及使用退火化合物用V族摻雜劑摻雜光伏器件的方法。

光伏器件通過用顯示光伏效應的半導體材料將光轉換成電來產生電力。半導體材料可摻雜有摻雜劑，摻雜劑可活化以增加半導體層的電荷載流子濃度。向半導體材料層加入摻雜劑可產生主要具有負、n-型或正、p-型電荷載流子的材料層。然而，使用現有方法可能難以將V族摻雜劑摻入半導體層。例如，已知的摻雜方法可導致半導體層內的V族摻雜劑的體積不足。

因此，需要用V族摻雜劑摻雜光伏器件的替代方法。

概述

本文提供的實施方案涉及用V族摻雜劑摻雜光伏器件的方法。鑒于以下詳述，結合附圖，將更充分地理解本文所述實施方案提供的這些和另外的特征。

附圖簡述

在附圖中闡明的實施方案在本質上為說明性和示例性，并且不旨在限制由權利要求限定的主題。在結合以下附圖閱讀時，可理解以下說明性實施方案的詳述，其中相似的結構用相似的參考數字表示，其中：

圖1示意性描繪根據本文所示和所述的一個或多個實施方案的光伏器件；

圖2示意性描繪根據本文所示和所述的一個或多個實施方案的襯底；

圖3示意性描繪根據本文所示和所述的一個或多個實施方案的光伏器件；

圖4和5示意性描繪根據本文所示和所述的一個或多個實施方案的部分形成的光伏器件；并且

圖6示意性描繪根據本文所示和所述一個或多個實施方案用于用V族摻雜劑摻雜吸收層的進行溶液基方法的方法。

詳述

本文描述了用于從光產生電力的光伏器件的實施方案。光伏器件通常包括由半導體材料形成的吸收層。吸收層可經過一個或多個構造成用V族摻雜劑(例如砷或磷)摻雜吸收層的處理步驟。將在本文中更詳細地描述用V族摻雜劑摻雜吸收層的方法的各種實施方案。

現在參照圖1，示意性描繪了光伏器件100的實施方案。光伏器件100可構造成接收光并將光轉換成電信號，例如，可從光吸收光子，并且通過光伏效應轉換成電信號。因此，光伏器件100可限定能量側102，能量側102構造成曝露于諸如太陽之類的光源。光伏器件102還可限定偏離能量側102的相反側104。應注意，術語“光”可以指電磁譜的各種波長，例如但不限于在電磁譜的紫外(UV)、紅外(IR)和可見部分中的波長。光伏器件100可包括在能量側102和相反側104之間布置的多個層。本文所用術語“層”指在表面上提供的一定厚度的材料。各層可覆蓋表面的全部或任何部分。

光伏器件100可包括襯底110，襯底110構造成有利于將光傳輸入光伏器件100。襯底110可布置在光伏器件100的能量側102。共同參照圖1和2，襯底110可具有基本面向光伏器件100的能量側102的第一表面112和基本面向光伏器件100的相反側104的第二表面114。可在襯底110的第一表面112和第二表面114之間布置一個或多個材料層。