[發明專利]光伏器件中吸收層的V族摻雜方法在審
| 申請號: | 201980010956.0 | 申請日: | 2019-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN111630669A | 公開(公告)日: | 2020-09-04 |
| 發明(設計)人: | S·格羅弗;陸定原;R·馬利克;熊剛 | 申請(專利權)人: | 第一陽光公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 童春媛;楊思捷 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 器件 吸收 摻雜 方法 | ||
1.一種摻雜吸收層的方法,所述方法包括:
使吸收層與退火化合物接觸,其中:
吸收層包含鎘和碲;
退火化合物包含氯化鎘和包含陰離子和陽離子的V族鹽;
陰離子、陽離子或二者包含V族元素;
按重量/體積計,退火化合物內氯化鎘與V族鹽之比為至少30:1;和
使吸收層退火,由此用退火化合物的V族元素的至少一部分摻雜吸收層。
2.權利要求1的方法,其中退火化合物為溶液,并且V族鹽與退火化合物總量的比例小于100克/升。
3.權利要求2的方法,其中V族鹽與退火化合物總量的比例在1/25克/升和20克/升之間。
4.權利要求1的方法,其中吸收層的晶粒粒度在吸收層退火期間增大。
5.權利要求1的方法,其中V族鹽為砷酸二氫銨。
6.權利要求1的方法,其中V族鹽為磷酸氫二銨。
7.權利要求1的方法,其中V族元素為氮。
8.權利要求1的方法,其中V族元素為磷。
9.權利要求1的方法,其中V族元素為砷。
10.權利要求1的方法,其中V族元素為銻。
11.權利要求1的方法,其中V族元素為鉍。
12.權利要求1的方法,所述方法包括在使吸收層退火的同時使吸收層暴露于還原環境。
13.權利要求12的方法,其中還原環境包括構造成減輕V族氧化物生成的形成氣體,所述形成氣體包括氫、氮、碳或其組合。
14.權利要求1的方法,其中吸收層在350℃和500℃之間的溫度下退火5分鐘至60分鐘。
15.權利要求1的方法,其中:
退火化合物包括堿金屬氯化物;并且
至少部分V族摻雜劑在吸收層退火期間活化。
16.權利要求1的方法,其中在使吸收層退火后,在吸收層中心區域中的V族摻雜劑的原子濃度大于1x1016cm-3。
17.權利要求1的方法,其中吸收層包含硒。
18.權利要求1至3中任一項的方法,其中吸收層的晶粒粒度在吸收層退火期間增大。
19.權利要求1至3和18中任一項的方法,其中V族鹽為砷酸二氫銨。
20.權利要求1至3和18中任一項的方法,其中V族鹽為磷酸氫二銨。
21.權利要求1至3和18中任一項的方法,其中V族元素為氮。
22.權利要求1至3和18中任一項的方法,其中V族元素為磷。
23.權利要求1至3和18至20中任一項的方法,其中V族元素為砷。
24.權利要求1至3和18中任一項的方法,其中V族元素為銻。
25.權利要求1至3和18中任一項的方法,其中V族元素為鉍。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于第一陽光公司,未經第一陽光公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980010956.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于實況流播的動態優先化
- 下一篇:處理石膏板的方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





