[發明專利]位置對準方法以及位置對準裝置有效
| 申請號: | 201980010298.5 | 申請日: | 2019-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN111656487B | 公開(公告)日: | 2023-04-04 |
| 發明(設計)人: | 三石創;福田稔;菅谷功 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艷君;金雪梅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 位置 對準 方法 以及 裝置 | ||
本發明提供一種對層疊的兩個基板進行位置對準的位置對準方法,包含:測量從配置于兩個基板中的至少一個基板的多個標記中選擇出的標記的位置的階段;以及基于測量出的標記的位置,對兩個基板進行位置對準的階段,被測量的標記基于與至少一個基板的形變相關的信息來選擇。標記也可以是配置于至少一個基板的形變量小于閾值的區域的標記。標記也可以是配置于在至少一個基板上產生的形變的再現性大于閾值的區域的標記。
技術領域
本發明涉及位置對準方法以及位置對準裝置。
背景技術
有一種基于基板上所配置的標記的位置,將掩模圖案等其它部件相對于該基板進行位置對準的方法(例如參照專利文獻1)。
專利文獻1:日本特開2013-118369號公報
若將形成于基板的所有標記用于針對其它部件的位置對準,則需要龐大的處理負荷。另一方面,若選擇比形成于基板的標記的總數少的數量的標記,并使用選擇出的標記進行位置對準,則根據選擇的方法會存在針對其它部件的位置對準精度降低的情況。
發明內容
在本發明的第一方式中,是對層疊的兩個基板進行位置對準的位置對準方法,包含:測量從兩個基板中的至少一個基板上所配置的多個標記中選擇出的標記的位置的階段;以及基于測量出的標記的位置,對兩個基板進行位置對準的階段,被測量的標記基于與至少一個基板的形變相關的信息來選擇。
在本發明的第二方式中,是對層疊的兩個基板進行位置對準的位置對準方法,包含:測量在兩個基板的至少一個基板上所配置的多個標記的位置的階段;以及基于測量出的多個標記的位置,對兩個基板進行位置對準的階段,多個標記是配置于至少一個基板的形變量小于閾值的區域的標記。
在本發明的第三方式中,是對層疊的兩個基板進行位置對準的位置對準方法,包含:測量在兩個基板的至少一個基板上所配置的多個標記的位置的階段;以及基于測量出的多個標記的位置,對兩個基板進行位置對準的階段,多個標記是配置于在至少一個基板上產生的形變的再現性大于閾值的區域的標記。
在本發明的第四方式中,是對層疊的兩個基板進行位置對準的位置對準裝置,包含:測量部,測量在兩個基板的一個基板上所配置的多個標記中,基于與在至少一個基板上產生的形變相關的信息而選擇出的標記的位置;以及位置對準部,基于測量部測量出的標記的位置,對兩個基板進行位置對準。
在本發明的第五方式中,是對層疊的兩個基板進行位置對準的位置對準裝置,具備:測量部,測量在兩個基板中的一個基板上所配置的多個標記的位置;以及位置對準部,基于測量部測量出的多個標記的位置,對兩個基板進行位置對準,多個標記是配置于至少一個基板的形變量小于閾值的區域的標記。
在本發明的第六方式中,是對層疊的兩個基板進行位置對準的位置對準裝置,具備:測量部,測量在兩個基板中的一個基板上所配置的多個標記的位置;以及位置對準部,基于測量部測量出的多個標記的位置,對兩個基板進行位置對準,多個標記是配置于在至少一個基板上產生的形變的再現性大于閾值的區域的標記。
在本發明的第七方式中,提供一種基板層疊裝置,具備:上述位置對準裝置;以及接合部,接合通過位置對準裝置進行位置對準后的兩個基板。
在本發明的第八方式中,提供一種層疊基板制造系統,具備:選擇部,在層疊的兩個基板中的一個基板上所配置的多個標記中,基于與在至少一個基板上產生的形變相關的信息,選擇要測量的標記;以及基板層疊裝置,基于由選擇部選擇出的標記的位置,接合兩個基板。
上述的發明內容并未列舉出本發明的全部特征。這些特征組的子組合也可以是發明。
附圖說明
圖1是表示基板層疊裝置100的結構的示意圖。
圖2是基板210、230的示意性的俯視圖。
圖3是表示接合部300的結構的示意性的剖視圖。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





