[發(fā)明專利]位置對準方法以及位置對準裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980010298.5 | 申請日: | 2019-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN111656487B | 公開(公告)日: | 2023-04-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 三石創(chuàng);福田稔;菅谷功 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艷君;金雪梅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 位置 對準 方法 以及 裝置 | ||
1.一種位置對準方法,是對層疊的兩個基板進行位置對準的位置對準方法,包含:
測量從配置于上述兩個基板中的至少一個基板上的多個標記中選擇出的標記的位置的階段;以及
基于測量出的上述標記的位置,對上述兩個基板進行位置對準的階段,
被測量的上述標記是基于與上述至少一個基板的形變相關(guān)的信息來選擇。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的位置對準方法,其中,
上述選擇的階段基于由上述一個基板的變形引起的位移來選擇上述標記。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的位置對準方法,其中,
上述多個標記的每一個標記的位移的值與相對于上述一個基板的設(shè)計位置的位移的實際測量值相對應(yīng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的位置對準方法,其中,
上述多個標記的每一個標記的位移的值基于上述一個基板的解析結(jié)果以及制造工序條件的至少一方來預(yù)測。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的位置對準方法,其中,
上述選擇的階段基于在上述一個基板上產(chǎn)生的變形的再現(xiàn)性來選擇上述標記。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項所述的位置對準方法,其中,
上述選擇的階段選擇由在上述一個基板上產(chǎn)生的變形引起的位移的至少一部分抵消的上述標記的組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項所述的位置對準方法,其中,
在上述位置對準的階段,考慮由在上述一個基板上產(chǎn)生的變形的非線性成分引起的所選擇的上述標記的位移來進行位置對準。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項所述的位置對準方法,其中,
上述選擇標記的階段包含:在與上述一個基板的面方向平行的第一方向選擇表示上述一個基板的位置的第一標記的階段;以及在與上述一個基板的面方向平行并與上述第一方向交叉的第二方向選擇表示上述一個基板的位置的第二標記的階段,上述第二標記包含與上述第一標記不同的標記,
上述位置對準的階段分別包含:使用上述第一標記進行位置對準的階段;以及使用上述第二標記進行位置對準的階段。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一項所述的位置對準方法,其中,
在上述一個基板是包含層疊的多個基板的層疊基板的情況下,在上述一個基板上所配置的上述多個標記中以將上述兩個基板中的另一個基板與上述一個基板進行位置對準的目的所選擇的上述標記包含與對上述一個基板所包含的上述多個基板進行位置對準的情況下所使用的標記不同的標記。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的位置對準方法,其中,
將上述兩個基板的另一個基板與上述一個基板進行位置對準時所使用的上述標記的數(shù)量與在上述一個基板上層疊上述多個基板的情況下所使用的標記的數(shù)量不同。
11.一種基板層疊方法,包含:
通過權(quán)利要求1~10中任一項所述的位置對準方法對兩個基板進行位置對準的階段;以及
接合被位置對準的上述兩個基板的階段。
12.一種位置對準方法,是對層疊的兩個基板進行位置對準的位置對準方法,包含:
測量在上述兩個基板的至少一個基板上所配置的多個標記的位置的階段;以及
基于測量出的上述多個標記的位置,對上述兩個基板進行位置對準的階段,
上述多個標記是配置于上述至少一個基板的形變量小于閾值的區(qū)域的標記。
13.一種位置對準方法,是對層疊的兩個基板進行位置對準的位置對準方法,包含:
測量在上述兩個基板的至少一個基板上所配置的多個標記的位置的階段;
基于測量出的上述多個標記的位置,對上述兩個基板進行位置對準的階段,
上述多個標記是配置于在上述至少一個基板上產(chǎn)生的形變的再現(xiàn)性大于閾值的區(qū)域的標記。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





