[發(fā)明專利]用于N型金氧半導體源極漏極應用的共摻雜處理

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980010112.6
• 申請日: 2019-03-08
• 公開（公告）號: CN111656528A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設計）人: 鮑新宇;葉祉淵;華·春
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L29/66
• 分類號: H01L29/66;H01L29/78;H01L29/167;H01L29/08;H01L29/06
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種沉積層的方法，包含以下步驟：

加熱處理腔室中的基板至處理溫度，所述基板具有一或多個單晶表面與一或多個非單晶表面；

使處理氣體流入所述處理腔室，所述處理氣體包含鹵化硅前驅物、砷前驅物、和碳前驅物；和

選擇性沉積外延Si:As:C層于所述一或多個單晶表面上。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述一或多個單晶表面中的至少一個包含硅，并且所述一或多個非單晶表面中的至少一個包含介電材料。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述外延Si:As:C層的至少一部分具有在約1x10²⁰cm^-3與約2x10²¹cm^-3之間的砷濃度。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述碳前驅物選自由甲硅烷、二甲硅烷、乙硅烷、二甲基二硅烷、三甲基硅烷、六甲基二硅烷、硅基環(huán)丁烷、甲基三氯硅烷、四氯化碳、溴三氯甲烷、及上述的組合所構成的群組。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述外延Si:As:C層包含外延Si:As子層與外延Si:As:C子層的組合。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述外延Si:As:C層的至少一部分具有在約1x10¹⁸cm^-3與約1x10²¹cm^-3之間的碳濃度。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述處理溫度介于約400℃與約680℃之間。

8.一種形成裝置的方法，包含以下步驟：

在處理腔室中加熱基板至處理溫度，所述基板具有設置在所述基板上的一或多個特征，所述基板與所述一或多個特征至少具有數(shù)個單晶表面與數(shù)個非晶表面；

使氣體流入所述處理腔室，所述氣體包含鹵化硅烷、砷前驅物、和碳前驅物；和

選擇性沉積外延Si:As:C層于所述單晶表面上。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述鹵化硅烷包含三氯硅烷，并且所述砷前驅物包含三級丁基砷。

10.如權利要求8所述的方法，進一步包含選擇性沉積外延硅基層于所述外延Si:As:C層上，其中所述外延硅基層的摻雜物包含砷或磷，及其中所述外延硅基層中所述摻雜物的濃度大于所述外延Si:As:C層中的砷濃度。

11.如權利要求8所述的方法，其中所述外延Si:As:C層包含外延Si:As子層與外延Si:As:C子層的組合。

12.如權利要求10所述的方法，其中所述碳前驅物選自由甲硅烷、二甲硅烷、乙硅烷、二甲基二硅烷、三甲基硅烷、六甲基二硅烷、硅基環(huán)丁烷、甲基三氯硅烷、四氯化碳、溴三氯甲烷、及上述的組合所構成的群組。

13.一種半導體裝置，包含：

基板；

一或多個淺溝槽隔離區(qū)，界定所述基板上的主動區(qū)，所述一或多個淺溝槽隔離區(qū)中的每一個包含介電材料；

未摻雜單晶特征，設置在所述基板上于所述主動區(qū)中；和

第一外延硅層，包含：

水平部分，定位在所述基板上，所述水平部分具有第一端與第二端，所述第一端鄰近所述一或多個淺溝槽隔離區(qū)之一，所述第二端鄰接所述未摻雜單晶特征，其中所述第一端在離所述基板的一距離處具有第一砷濃度與第一碳濃度；和

垂直部分，正交于所述水平部分并鄰接所述未摻雜單晶特征，其中所述垂直部分具有第三端與第四端，所述第三端鄰接所述水平部分的所述第二端，所述第四端在所述第三端的遠端處，所述第四端在離所述水平部分的一距離處具有第二砷濃度與第二碳濃度，其中所述第一砷濃度與所述第二砷濃度具有小于約10％的變化，及其中所述第一碳濃度與所述第二碳濃度具有小于約10％的變化。