[發明專利]多層配線的形成方法和存儲介質

在審

• 申請號: 201980009315.3
• 申請日: 2019-01-23
• 公開（公告）號: CN111630654A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 田中崇;巖下光秋
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;C23C18/18;H01L23/522
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;常殿國

1.一種埋入型的多層配線的形成方法，其特征在于，包括：

在通孔中基片的配線露出的底面形成單分子膜的工序，其中所述通孔形成在設置于所述配線上的絕緣膜的規定位置并貫通至所述配線；

在所述通孔的側面形成阻擋膜的工序；

除去所述單分子膜的工序；和

將露出于所述通孔的底面的所述配線作為催化劑，從所述通孔的底面起形成無電解鍍膜的工序。

2.如權利要求1所述的多層配線的形成方法，其特征在于：

所述單分子膜由偶聯劑形成。

3.如權利要求1或2所述的多層配線的形成方法，其特征在于：

所述無電解鍍膜含有Cu、Co、Ni或者Ru。

4.一種計算機可讀取的存儲介質，其存儲有在計算機上運行的控制多層配線形成系統的程序，所述存儲介質的特征在于：

所述程序在執行時使計算機控制所述多層配線形成系統，以進行如權利要求1～3中任一項所述的多層配線的形成方法。