[發明專利]用于設定電路晶體管的寬長比的方法、電路及電路布置

在審

• 申請號: 201980009286.0
• 申請日: 2019-01-22
• 公開（公告）號: CN111656688A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 張健學;張坤翔;奈覺專·倫;西瓦拉瑪克里希南·哈里哈拉克里希南
• 申請（專利權）人: 南洋理工大學
• 主分類號: H03K19/003
• 分類號: H03K19/003;H03K3/356
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 潘軍

1.一種電路，包括：

第一組晶體管，被配置成接收提供給所述電路的一個或多個輸入信號；以及

第二組晶體管，彼此電耦合，其中所述第二組晶體管被配置成提供所述電路的一個或多個輸出信號，

其中所述第一組晶體管和所述第二組晶體管彼此電耦合，并且

其中對于所述第一組晶體管和所述第二組晶體管中的每個晶體管，所述晶體管被配置成驅動與所述晶體管相關聯的負載，并且其寬長比的尺寸大于為驅動所述負載而優化的晶體管的寬長比。

2.根據權利要求1所述的電路，其中所述寬長比為至少2.5。

3.根據權利要求1或2所述的電路，其中對于所述第一組晶體管和所述第二組晶體管中的每個晶體管，所述寬長比被設計為增加所述電路的線性能量傳遞閾值。

4.根據權利要求3所述的電路，其中所述電路的所述線性能量傳遞閾值至少為1MeV·cm²/mg。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的電路，其中所述第二組晶體管中的每個晶體管是非堆疊晶體管。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的電路，其中所述第一組晶體管或所述第二組晶體管中的至少一個包括：

第一導電類型的第一晶體管；以及

第二導電類型的第二晶體管。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的電路，其中所述第一組晶體管包括至少一對堆疊晶體管。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的電路，

其中所述第一組晶體管中的晶體管的漏極端子連接到所述第二組晶體管中的晶體管的柵極端子，所述晶體管為第一導電類型，并且

其中所述第一組晶體管中的另一個晶體管的漏極端子連接到所述第二組晶體管中的另一個晶體管的柵極端子，所述另一個晶體管為第二導電類型并且與所述第一導電類型相反。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的電路，還包括：

控制子電路，電耦合到所述第一組晶體管和所述第二組晶體管，所述控制子電路被配置成接收提供給所述電路的一個或多個控制信號；

其中所述控制子電路包括一個或多個晶體管，所述一個或多個晶體管被配置成響應于接收到的所述一個或多個控制信號，控制從所述第一組晶體管到所述第二組晶體管的電信號流。

10.一種由于在電路的不同節點處的電離而設定電路的晶體管的寬長比尺寸以增加所述電路的線性能量傳遞閾值的方法，所述方法包括：

布置所述電路的第一組晶體管以接收提供給所述電路的一個或多個輸入信號，所述第一組晶體管包括：

第一晶體管，其寬長比增大以對其輸出節點充電以吸收所述輸出節點處的所述電離；以及

第二晶體管，其寬長比增大以使其輸出節點放電以吸收所述輸出節點處的所述電離；

布置所述電路的第二組晶體管以輸出所述電路的一個或多個輸出信號，所述第二組晶體管包括：

第三晶體管，其寬長比增大以對其輸出節點充電以吸收所述輸出節點處的所述電離；以及

第四晶體管，其寬長比增大以使其輸出節點放電以吸收所述輸出節點處的所述電離；以及

布置第三組晶體管，所述第三組晶體管被配置成電耦合到所述第一組晶體管和所述第二組晶體管的控制子電路，其中所述控制子電路被配置成接收一個或多個控制信號。

11.根據權利要求10所述的方法，其中對于所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管和所述第四晶體管中的每一個，通過將所述寬長比增加到至少2.5來增大所述晶體管的所述寬長比。

12.一種電路布置，包括：

彼此電耦合的多個子電路，其中所述多個子電路中的每個子電路是根據權利要求1至9中任一項所述的電路或通過權利要求10或11所述的方法獲得的電路。