[發(fā)明專利]輻射冷卻裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980009051.1 | 申請(qǐng)日： | 2019-01-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111630419A | 公開（公告）日： | 2020-09-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 末光真大;齋藤禎 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 大阪瓦斯株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | G02B5/26 | 分類號(hào)： | G02B5/26;B32B7/035;B32B15/04;B32B17/06;F28F21/04;F28F21/08 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;龐立志 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 輻射 冷卻 裝置 | ||
1.輻射冷卻裝置，其是將從輻射面輻射紅外光的紅外輻射層和位于該紅外輻射層的與所述輻射面存在側(cè)相反一側(cè)的光反射層以層疊狀態(tài)設(shè)置而成的輻射冷卻裝置，其中，
所述光反射層構(gòu)成為將由銀或銀合金形成的第1層和由鋁或鋁合金形成的第2層以使所述第1層位于靠近所述紅外輻射層一側(cè)的形態(tài)層疊的狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射冷卻裝置，其中，所述第1層的厚度比3.3nm大，并且為100nm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的輻射冷卻裝置，其中，所述第1層的厚度為50nm以上且100nm以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的輻射冷卻裝置，其中，所述第2層的厚度為10nm以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的輻射冷卻裝置，其中，所述紅外輻射層由無(wú)堿玻璃、冕玻璃、硼硅玻璃中的任一種玻璃構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的輻射冷卻裝置，其中，將所述紅外輻射層作為基板，層疊所述第1層和所述第2層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的輻射冷卻裝置，其中，在所述紅外輻射層與所述第1層之間層疊密合層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的輻射冷卻裝置，其中，在所述第2層的與所述第1層存在側(cè)相反一側(cè)層疊抗氧化層。
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