[發明專利]層疊體、層疊體的制造方法和電子設備的制造方法

在審

• 申請號: 201980008601.8
• 申請日: 2019-01-11
• 公開（公告）號: CN111629899A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 山田和夫;照井弘敏;山內優
• 申請（專利權）人: AGC株式會社
• 主分類號: B32B27/34
• 分類號: B32B27/34;B32B9/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李書慧;趙青

1.一種層疊體，依次具備在表面具有羥基的支承基材、具有羥基的有機硅樹脂層和基板，

所述基板是聚酰亞胺樹脂基板或分別具有聚酰亞胺樹脂基板和阻氣膜至少各1層的層疊基板，

所述有機硅樹脂層與所述基板之間的剝離強度大于所述支承基材與所述有機硅樹脂層之間的剝離強度。

2.根據權利要求1所述的層疊體，其中，所述支承基材為玻璃板或者硅晶圓。

3.根根據權利要求1或2所述的層疊體，其中，所述基板為所述層疊基板，

所述層疊基板的所述阻氣膜為由無機材料構成的阻氣膜。

4.根據權利要求1～3中任1項所述的層疊體，其中，多個所述基板和所述有機硅樹脂層配置于1個所述支承基材上。

5.根據權利要求1～4中任1項所述的層疊體，其中，所述聚酰亞胺樹脂基板與所述支承基材的熱膨脹系數之差為0～90×10^-6/℃。

6.根據權利要求1～5中任1項所述的層疊體，其中，所述有機硅樹脂層的厚度大于1μm且為100μm以下。

7.根據權利要求1～6中任1項所述的層疊體，其中，所述有機硅樹脂層與所述基板之間的剝離強度為0.3N/25mm以下。

8.根據權利要求1～7中任1項所述的層疊體，其中，構成所述有機硅樹脂層的有機硅樹脂至少包含三官能有機甲硅烷氧基單元，所述三官能有機甲硅烷氧基單元的比例相對于全部有機甲硅烷氧基單元為20摩爾％～90摩爾％。

9.根據權利要求1～8中任1項所述的層疊體，其中，所述有機硅樹脂層的所述基板側的表面的表面粗糙度Ra為0.1～20nm。

10.根據權利要求1～9中任1項所述的層疊體，其中，所述分別具有聚酰亞胺樹脂基板和阻氣膜至少各1層的層疊基板從靠近所述有機硅樹脂層一側起依次層疊有：

聚酰亞胺樹脂基板/阻氣膜、

阻氣膜/聚酰亞胺樹脂基板、或者

阻氣膜/聚酰亞胺樹脂基板/阻氣膜。

11.一種層疊體的制造方法，是制造權利要求1～10中任1項所述的層疊體的方法，具備如下工序：

樹脂層形成工序，在所述基板上形成所述有機硅樹脂層；

層疊工序，在所述有機硅樹脂層的表面層疊所述支承基材從而得到所述層疊體。

12.根據權利要求11所述的層疊體的制造方法，其中，所述樹脂層形成工序包含如下工序：在基板的第1主面涂布含有成為有機硅樹脂的固化性有機硅的固化性組合物，根據需要除去溶劑，形成涂膜，使涂膜中的固化性有機硅固化，制成有機硅樹脂層。

13.根據權利要求12所述的層疊體的制造方法，其中，所述固化性有機硅為有機烯基聚硅氧烷和有機氫聚硅氧烷的混合物。

14.根據權利要求12所述的層疊體的制造方法，其中，所述固化性有機硅為水解性有機硅烷化合物或者使水解性有機硅烷化合物進行水解縮合反應而得到的部分水解縮合物。

15.一種電子設備的制造方法，具備如下工序：

部件形成工序，在權利要求1～10中任1項所述的層疊體的所述基板的表面上形成電子設備用部件，得到帶電子設備用部件的層疊體；

分離工序，將包含所述支承基材和所述有機硅樹脂層的帶有機硅樹脂層的支承基材從所述帶電子設備用部件的層疊體除去，得到具有所述基板和所述電子設備用部件的電子設備。

16.根據權利要求15所述的電子設備的制造方法，其中，所述部件形成工序為包含加熱處理的工序。

17.根據權利要求15或16所述的電子設備的制造方法，其中，所述加熱處理在50℃～600℃進行1～120分鐘。