[發明專利]連接端子單元有效
| 申請號: | 201980008259.1 | 申請日: | 2019-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN111630661B | 公開(公告)日: | 2023-10-24 |
| 發明(設計)人: | 堀田豐;大須賀慎也;粂康弘 | 申請(專利權)人: | 株式會社愛信 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18;H01R12/71;H05K1/14;H05K7/14 |
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| 地址: | 日本愛知*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 連接 端子 單元 | ||
本發明實現一種能夠適當地與包含半導體元件的半導體模塊的端子連接部連接,并能夠更減小與沿著芯片面的方向正交的方向觀察時的投影面積的連接端子單元。連接端子單元(1)具備:多個連接端子(25),它們與半導體模塊(5)的多個端子連接部(55)對置并連接;和端子模制部(20),其保持這些連接端子(25)。端子模制部(20)具有抵接部(T),抵接部(T)與半導體模塊(5)或者支承半導體模塊(5)的基材(B)抵接。抵接部(T)具有:縱向抵接部(1a),其從連接端子(25)與端子連接部(55)對置的方向亦即縱向(V)抵接;和側方抵接部(1b、1c),其從與縱向(V)交叉、并且分別不同的至少兩個方向抵接。
技術領域
本發明涉及具備與設置于半導體模塊的多個端子連接部連接的多個連接端子的連接端子單元。
背景技術
例如,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極晶體管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金屬氧化物半導體場效應晶體管)等包含功率半導體元件的半導體模塊的多個端子連接部經由具備多個連接端子的連接端子單元而與控制電路等連接。在日本特開2011-253942號公報中,作為這種連接端子單元的一個例子,公開了一種具備多個信號端子(5)、和將這些信號端子(5)一體地進行樹脂模制的端子臺(4)的形式(圖1、[0014]-[0016]等)。此外,在背景技術的說明中,括號內的附圖標記是參照的文獻的附圖標記。這些信號端子(5)的一端側通過鍵合線(6)與半導體元件(3)的電極、或者與半導體元件(3)連接的匯流條(8)電連接。信號端子(5)的另一端側與外部電機設備等電連接。即,半導體元件(3)經由具備信號端子(5)的端子臺(4)而與外部電機設備等電連接。
像這樣,在使用鍵合線(6)而將信號端子(5)與半導體元件(3)連接的情況下,能夠增大信號端子(5)與半導體元件(3)的相對位置的公差,從而能夠適當地將信號端子(5)與半導體元件(3)連接。但是,由于需要用于對鍵合線(6)進行布線的空間,因此與沿著半導體元件(3)的芯片面的方向正交的方向觀察下的端子臺(4)、連接端子(5)、半導體元件(3)的專有面積(投影面積)存在變大的趨勢。這阻礙了具備半導體元件(3)的半導體模塊的小型化,因此被要求改善。
專利文獻1:日本特開2011-253942公報。
發明內容
鑒于上述背景,希望實現一種能夠與包含半導體元件的半導體模塊的端子連接部適當地連接,并且能夠更加減小在與沿著芯片面的方向正交的方向觀察時的投影面積的連接端子單元。
鑒于上述的連接端子單元具備:
多個連接端子,它們與設置于包含至少一個開關元件的半導體模塊的多個端子連接部對置并與多個上述端子連接部分別連接;和
端子模制部,其保持多個上述連接端子,
上述端子模制部具有抵接部,該抵接部與上述半導體模塊或者支承上述半導體模塊的基材抵接,
上述抵接部具有:
縱向抵接部,其從上述連接端子與上述端子連接部對置的方向亦即縱向抵接;和
側方抵接部,其從與上述縱向交叉、并且分別不同的至少兩個方向抵接。
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