[發明專利]引線框材料及其制造方法、以及使用其的半導體封裝體

在審

• 申請號: 201980007383.6
• 申請日: 2019-03-19
• 公開（公告）號: CN111557043A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 中津川達也;橋本真;柴田邦夫
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社;古河精密金屬工業株式會社
• 主分類號: H01L23/50
• 分類號: H01L23/50;C25D5/10;C25D5/12;C25D5/16;C25D7/00;H01L23/28
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;唐崢

1.引線框材料，其特征在于，具有導電性基體和在所述導電性基體的至少一面形成的粗糙化層，

在所述引線框材料的截面中觀察，與所述導電性基體的表面平行地在規定長度內測定的、存在于所述粗糙化層表面的晶粒間界的數量為20個/μm以下。

2.如權利要求1所述的引線框材料，其特征在于，在所述引線框材料的截面中觀察，所述粗糙化層的高度在0.1μm以上且5.0μm以下的范圍內。

3.如權利要求1或2所述的引線框材料，其特征在于，所述引線框材料的最外表面的比表面積為120％以上。

4.如權利要求1～3中任一項所述的引線框材料，其特征在于，在所述引線框材料的截面中觀察，所述粗糙化層中存在的Σ5以下的重合邊界在所述粗糙化層的全部晶粒間界中所占的比例為90.0％以上。

5.如權利要求1～4中任一項所述的引線框材料，其特征在于，所述導電性基體由選自銅、銅合金、鐵、鐵合金、鋁及鋁合金的組中的金屬或合金形成。

6.如權利要求1～5中任一項所述的引線框材料，其特征在于，所述粗糙化層包含銅及鎳中的至少一種元素。

7.如權利要求1～6中任一項所述的引線框材料，其特征在于，還具有1個以上的下述層，所述層形成于所述粗糙化層上，具有與所述粗糙化層不同的組成，且包含選自鎳、鈀、銠、釕、鉑、銥、金、銀及錫的組中的1種以上的元素。

8.引線框材料的制造方法，其特征在于，為權利要求1～7中任一項所述的引線框材料的制造方法，所述粗糙化層通過電鍍來形成。

9.半導體封裝體，其使用了權利要求1～7中任一項所述的引線框材料。