[發(fā)明專利]濺射靶以及磁性膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980007232.0
• 申請日: 2019-05-23
• 公開（公告）號: CN111566253B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 巖淵靖幸;增田愛美;小莊孝志
• 申請（專利權(quán)）人: JX金屬株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;G11B5/65;G11B5/851
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

1.一種濺射靶，其是具有金屬相和氧化物相的濺射靶，所述濺射靶含有0.001mol％～0.5mol％的Bi、45mol％以下的Cr、45mol％以下的Pt、60mol％以下的Ru、合計1mol％～35mol％的氧化物，剩余部分包含Co和不可避免的雜質(zhì)，

所述氧化物是選自由Co、Cr、Si、Ti以及B構(gòu)成的組中的至少一種元素的氧化物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射靶，其含有0.005mol％～0.5mol％的Bi。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濺射靶，其含有0.01mol％～0.5mol％的Bi。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的濺射靶，其還含有1mol％～30mol％的選自由Au、Ag、B、Cu、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ta、W以及V構(gòu)成的組中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的濺射靶，其含有合計10體積％～55體積％的所述氧化物。

6.一種磁性膜，其是具有金屬相和氧化物相的垂直磁記錄方式的磁記錄介質(zhì)用的磁性膜，所述磁性膜含有0.001mol％～0.5mol％的Bi、45mol％以下的Cr、45mol％以下的Pt、60mol％以下的Ru、合計1mol％～35mol％的氧化物，剩余部分包含Co和不可避免的雜質(zhì)，

所述氧化物是選自由Co、Cr、Si、Ti以及B構(gòu)成的組中的至少一種元素的氧化物。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁性膜，其含有0.005mol％～0.5mol％的Bi。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁性膜，其含有0.01mol％～0.5mol％的Bi。

9.根據(jù)權(quán)利要求6～8中任一項所述的磁性膜，其還含有1mol％～30mol％的選自由Au、Ag、B、Cu、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ta、W以及V構(gòu)成的組中的至少一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求6～8中任一項所述的磁性膜，其含有合計10體積％～55體積％的所述氧化物。