[發(fā)明專利]半導(dǎo)體激光器和電子設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980005918.6
• 申請日: 2019-01-17
• 公開（公告）號: CN111386638A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 德田耕太;渡邊秀輝;河角孝行
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼半導(dǎo)體解決方案公司
• 主分類號: H01S5/20
• 分類號: H01S5/20
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛

1.一種半導(dǎo)體激光器，包括：

半導(dǎo)體疊層，所述半導(dǎo)體疊層依次包括第一包覆層、活性層、一個或多個低濃度雜質(zhì)層、接觸層和包括透明導(dǎo)電材料的第二包覆層，所述半導(dǎo)體疊層在包括所述接觸層的部分中具有在堆疊面內(nèi)的方向上延伸的脊形，

所述一個或多個低濃度雜質(zhì)層具有5.0×10¹⁷cm^-3以下的雜質(zhì)濃度，所述低濃度雜質(zhì)層的總厚度為250nm以上且1000nm以下，

所述第二包覆層與最靠近所述第二包覆層的低濃度雜質(zhì)層之間的距離為150nm以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其中所述第一包覆層、所述活性層、所述低濃度雜質(zhì)層和所述接觸層均包括氮化物半導(dǎo)體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光器，其中所述透明導(dǎo)電材料為ITO(氧化銦錫)或ITiO(氧化銦鈦)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其中包括在所述低濃度雜質(zhì)層中的所述雜質(zhì)是鎂、銅、硅或氧中的至少一者。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，進一步包括設(shè)置在所述活性層和所述接觸層之間的載流子阻擋層，

其中在所述低濃度雜質(zhì)層中，所述脊形的正下方的部分具有比所述脊形的側(cè)部更大的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體激光器，其中所述載流子阻擋層具有梯度層，在所述梯度層中，組成被梯度化以允許所述載流子阻擋層的帶隙能量朝向所述接觸層減小。

7.一種半導(dǎo)體激光器，包含：

半導(dǎo)體疊層，所述半導(dǎo)體疊層依次包括：第一包覆層、活性層、具有5.0×10¹⁷cm^-3以下的雜質(zhì)濃度的一個或多個低濃度雜質(zhì)層、接觸層以及包括透明導(dǎo)電材料的第二包覆層，所述半導(dǎo)體疊層在包括所述接觸層的部分中具有脊形，所述脊形在堆疊面內(nèi)的方向上延伸，

在所述半導(dǎo)體激光器被驅(qū)動的情況下，所述第二包覆層被設(shè)置在遠離將在所述半導(dǎo)體疊層內(nèi)產(chǎn)生的光波導(dǎo)區(qū)域的位置處，

更靠近所述活性層的所述第二包覆層的邊界處的光強度與最大光強度的比率小于0.007。

8.一種電子設(shè)備，包含：

用作光源的半導(dǎo)體激光器；

所述半導(dǎo)體激光器包括半導(dǎo)體疊層，所述半導(dǎo)體疊層依次包括第一包覆層、活性層、一個或多個低濃度雜質(zhì)層、接觸層和包括透明導(dǎo)電材料的第二包覆層，所述半導(dǎo)體疊層在包括接觸層的部分中具有在堆疊面內(nèi)的方向上延伸的脊形，

所述一個或多個低濃度雜質(zhì)層具有5.0×10¹⁷cm^-3以下的雜質(zhì)濃度，所述低濃度雜質(zhì)層的總厚度為250nm以上且1000nm以下，

所述第一包覆層與最靠近所述第一包覆層的所述低濃度雜質(zhì)層之間的距離為150nm以下。

9.一種電子設(shè)備，包含：

用作光源的半導(dǎo)體激光器；

所述半導(dǎo)體激光器包括半導(dǎo)體疊層，所述半導(dǎo)體疊層依次包括：第一包覆層、活性層、具有5.0×10¹⁷cm^-3以下的雜質(zhì)濃度的一個或多個低濃度雜質(zhì)層、接觸層以及包括透明導(dǎo)電材料的第二包覆層，所述半導(dǎo)體疊層在包括接觸層的部分中具有在堆疊面內(nèi)的方向上延伸的脊形，

在所述半導(dǎo)體激光器被驅(qū)動的情況下，所述第二包覆層被設(shè)置在遠離將在所述半導(dǎo)體疊層內(nèi)產(chǎn)生的光波導(dǎo)區(qū)域的位置處，

更靠近所述活性層的第二包覆層的邊界處的光強度與最大光強度的比率小于0.007。