[發明專利]半導體激光器和電子設備

在審

• 申請號: 201980005918.6
• 申請日: 2019-01-17
• 公開（公告）號: CN111386638A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發明（設計）人: 德田耕太;渡邊秀輝;河角孝行
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01S5/20
• 分類號: H01S5/20
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛

根據本公開的一個實施例的半導體激光器設置有半導體多層部。半導體多層部依次包含第一包覆層、活性層、一個或多個低濃度雜質層、接觸層和由透明導電材料形成的第二包覆層。該半導體多層部在包含該接觸層的部分中另外具有在該層疊面內的一個方向上延伸的脊形。每個低濃度雜質層具有5.0×10¹⁷cm^?3或更小的雜質濃度；并且低濃度雜質層的總膜厚度為250nm至1,000μm(包括端值)。第二包覆層與最靠近第二包覆層的低濃度雜質層之間的距離為150nm以下。

技術領域

本公開涉及一種半導體激光器和包括該半導體激光器的電子設備。

背景技術

已經公開了半導體激光器的各種技術。

引文清單

專利文獻

專利文獻1：日本特開2009-94360號公報

專利文獻2：日本特開2013-42107號公報

專利文獻3：日本特開2004-289157號公報

專利文獻4：日本特開2007-129246號公報

專利文獻5：日本特開2016-66670號公報

專利文獻6：日本特開2001-77463號公報

專利文獻7：日本特開2009-117695號公報

專利文獻8：日本特開2006-41491號公報

發明內容

已經要求半導體激光器的高功率輸出來增加亮度。這種高功率輸出引起發熱問題。基于功率轉換效率確定發熱量。因此，為了減少這種發熱量，不僅光輸出特性而且驅動電壓的降低都是重要的。因此，期望提供一種能夠降低驅動電壓的半導體激光器和包括該半導體激光器的電子設備。

根據本公開的一個實施例的第一半導體激光器包括半導體疊層。該半導體疊層依次包括第一包覆層、活性層、一個或多個低濃度雜質層、接觸層和包括透明導電材料的第二包覆層。該半導體疊層在包括該接觸層的部分中還具有在堆疊面內的一方向上延伸的脊形。每個低濃度雜質層的雜質濃度為5.0×10¹⁷cm^-3以下，低濃度雜質層的總厚度為250nm以上且1000nm以下。第二包覆層和最接近第二包覆層的低濃度雜質層之間的距離為150nm或更小。

根據本公開的一個實施例的第二半導體激光器包括半導體疊層。該半導體疊層依次包括第一包覆層、活性層、具有5.0×10¹⁷cm^-3或更小的雜質濃度的一個或多個低濃度雜質層、接觸層，以及包括透明導電材料的第二包覆層。該半導體疊層在包括該接觸層的部分中還具有在堆疊面內的一方向上延伸的脊形。在驅動該半導體激光器的情況下，該第二包覆層被設置在遠離將在該半導體疊層內產生的光波導區域的位置處。

根據本公開的一個實施例的第一電子設備包括作為光源的第一半導體激光器。

根據本公開的一個實施例的第二電子設備包括作為光源的第二半導體激光器。

在根據本公開的一個實施例的第一半導體激光器和第一電子設備中，第二包覆層包括透明導電材料。此外，設置在活性層和接觸層之間的一個或多個低濃度雜質層具有5.0×10¹⁷cm^-3以下的雜質濃度，并且低濃度雜質層的總厚度為250nm以上且1000nm以下。此外，第二包包覆層與最靠近第二包包覆層的低濃度雜質層之間的距離為150nm以下。這允許減少由透明導電材料引起的光吸收，并且進一步地，即使在例如沒有包括摻雜有Mg的AlGaN的厚包覆層的情況下，也通過包括透明導電材料的第二包覆層在堆疊方向上限制光。根據本公開的一個實施例的第一半導體激光器和第一電子設備還包括條形脊。因此，光也在橫向方向上受到限制。