[發(fā)明專利]功率電子設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980005355.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-02-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111615869B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬爾科·登克;約翰尼斯·哈格爾;邁克爾·施佩伯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | ZF腓德烈斯哈芬股份公司 |
| 主分類號(hào): | H05K7/20 | 分類號(hào): | H05K7/20;H02M7/00 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 潘小軍;賈翼鷗 |
| 地址: | 德國(guó)腓德*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 功率 電子設(shè)備 | ||
功率電子設(shè)備(10)包括散熱體(12)、至少兩個(gè)安裝在散熱體(12)的一側(cè)上的半橋模塊(14)、安裝到半橋模塊(14)上的電路板(16)和至少一個(gè)安裝到電路板(16)上的電容器(18);其中,半橋模塊(14)中的每個(gè)半橋模塊具有殼體(21),殼體具有安裝到散熱體(12)上的散熱側(cè)(22),并且殼體(21)具有聯(lián)接側(cè)(28),半橋模塊(14)的各直流電壓聯(lián)接部的多個(gè)聯(lián)接針(30)從聯(lián)接側(cè)突出,這些聯(lián)接針與電路板(16)連接;并且其中,電路板(16)中的導(dǎo)體(44)被實(shí)施為將半橋模塊(14)并聯(lián)并且與至少一個(gè)電容器(18)連接成中間回路。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及功率電子設(shè)備和由多個(gè)此功率電子設(shè)備構(gòu)建的多相功率電子設(shè)備。
背景技術(shù)
也稱為逆變器的電壓中間回路轉(zhuǎn)換器通常包括多個(gè)半橋,半橋在DC側(cè)與中間回路電容器并聯(lián)。在AC側(cè),半橋可以與電機(jī)連接,可以從逆變器提供多相交流電流用于所述電機(jī)。
為構(gòu)建此類的功率電子電路,可以將分別提供此半橋的半橋模塊并排布置在共同的散熱板上,并且可以通過(guò)例如單件實(shí)施的中間回路電容器電連接在DC側(cè)上。也可以使用多個(gè)半橋整合到其中的單個(gè)功率模塊來(lái)代替多個(gè)分別帶有半橋的半橋模塊。中間回路電容器與半橋的組合形成電網(wǎng)絡(luò),其被稱為換向單元。處在此網(wǎng)格中的寄生電感表示換向單元的漏電感或換向電感。
半橋模塊通常具有殼體,在殼體中容納有形成半橋的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。在通用的半橋模塊中,功率聯(lián)接部從殼體的一個(gè)或多個(gè)窄側(cè)突出。如果現(xiàn)在在半橋模塊的窄側(cè)旁布置中間回路電容器,并且在此處將其與DC側(cè)的功率聯(lián)接部連接,則通常在換向電路中出現(xiàn)20~50nH的漏電感。盡管此值對(duì)于基于硅半導(dǎo)體的逆變器來(lái)說(shuō)問(wèn)題不很嚴(yán)重,但是此類漏電感阻止最佳地利用新型寬帶隙半導(dǎo)體的,如碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的電特性。寬帶隙半導(dǎo)體的由于漏電感而需要的人為減慢的切換通常導(dǎo)致更高的切換損耗,因此可能因此損害逆變器的可實(shí)現(xiàn)的效率。
多個(gè)因素可能導(dǎo)致漏電感。例如,如果每個(gè)半橋使用帶有兩個(gè)聯(lián)接部的中間回路電容器,所述電容器在DC側(cè)上與逆變器的半橋通過(guò)各兩個(gè)接觸位置(DC正和DC負(fù))連接,則此瓶頸導(dǎo)致漏電感增大。
為了增加載流能力,可以在半橋模塊中并聯(lián)多個(gè)功率半導(dǎo)體。由于幾何條件決定地,各個(gè)半導(dǎo)體通常不能等同地與中間回路電容器電連接。這可能導(dǎo)致不對(duì)稱的切換過(guò)程,并且半導(dǎo)體可能不傳導(dǎo)理論上最大可能的負(fù)載電流。因此,這不對(duì)稱性可能要求功率電子電路過(guò)尺寸設(shè)計(jì)。
為了實(shí)現(xiàn)帶有不同的電流等級(jí)的逆變器,可能必須針對(duì)待實(shí)現(xiàn)的最大電流等級(jí)來(lái)構(gòu)造半橋模塊。較少件數(shù)的半橋模塊可以帶來(lái)成本優(yōu)勢(shì),但是無(wú)法節(jié)省結(jié)構(gòu)空間。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)是克服以上所述的問(wèn)題。本發(fā)明的另外的任務(wù)是提供帶有用于功率電子電路的低結(jié)構(gòu)空間的機(jī)械結(jié)構(gòu),所述機(jī)械結(jié)構(gòu)具有低漏電感和高對(duì)稱性,但是在此可容易地?cái)U(kuò)大規(guī)模到更高的電流強(qiáng)度。
此任務(wù)通過(guò)獨(dú)立權(quán)利要求的對(duì)象解決。本發(fā)明的另外的實(shí)施方案由從屬權(quán)利要求和如下的說(shuō)明書(shū)中得到。
本發(fā)明的方面涉及功率電子設(shè)備。功率電子設(shè)備可以是由彼此機(jī)械連接的部件構(gòu)成的組件,該組件提供帶有中間回路的逆變器。例如,功率電子設(shè)備可以用作電動(dòng)車輛的逆變器。應(yīng)理解的是功率電子器件或功率半導(dǎo)體的概念可以涉及如下電部件,這些電部件被實(shí)施為處理超過(guò)10A的電流強(qiáng)度和/或超過(guò)100V的電壓。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案,功率電子設(shè)備包括散熱體;至少兩個(gè)安裝在散熱體的一側(cè)上的半橋模塊;電路板,其安裝到半橋模塊上;和至少一個(gè)電容器,其安裝到電路板上。散熱體可以是板和/或包含中空室,通過(guò)中空室可以泵送散熱介質(zhì)。半橋模塊也可以與散熱體一起形成中空室。散熱體可以由陶瓷制成。
半橋模塊可以例如以螺釘與散熱體連接。但是也可具有另外的連接形式,如鉚接或粘合。
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