[發明專利]具有可根據溫度調節的選擇柵極的非易失性儲存系統

有效

• 申請號: 201980004804.X
• 申請日: 2019-02-05
• 公開（公告）號: CN111164698B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: M.R.古普塔;M.普拉馬德;B.雷;J.賴;X.科斯塔
• 申請（專利權）人: 西部數據技術公司
• 主分類號: G11C29/02
• 分類號: G11C29/02;G11C16/04
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

非易失性儲存系統包括以存儲器單元組布置的存儲器單元和與存儲器單元通信的一個或多個控制電路，存儲器單元包括可編程的選擇柵極。一個或多個控制電路被配置為識別需要被編程的選擇柵極，并且如果非易失性存儲器單元處的溫度大于最小溫度，則對識別為要被編程的選擇柵極進行編程，并推遲對識別為要被編程的選擇柵極進行編程，直到在非易失性存儲器單元處的溫度大于最小溫度為止。在一些實施例中，一個或多個控制電路被配置為響應于確定非易失性存儲器單元處的溫度不夠高而對多個非易失性存儲器單元執行偽存儲器操作以升高非易失性存儲器單元的溫度。

背景技術

半導體存儲器廣泛用于各種電子設備，諸如蜂窩電話、數字相機、個人數字助理、醫療電子、移動計算設備、非移動計算設備和數據服務器中。半導體存儲器可以包括非易失性存儲器或易失性存儲器。即使在非易失性存儲器未連接到電源(例如，電池)時，非易失性存儲器也允許儲存和保留信息。非易失性存儲器的示例包括閃速存儲器(例如，NAND型和NOR型閃速存儲器)、電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)等。

在將存儲器系統部署在電子設備(主機)中或連接到電子設備(主機)時，該存儲器系統可以用于儲存數據和讀取數據。重要的是準確執行寫入和讀取，以免丟失數據。

附圖說明

相同編號的元件在不同的附圖中指代共同的組件。

圖1A是連接到主機的存儲器系統的一個實施例的框圖。

圖1B是前端處理器電路的一個實施例的框圖。在一些實施例中，前端處理器電路是控制器的一部分。

圖1C是后端處理器電路的一個實施例的框圖。在一些實施例中，后端處理器電路是控制器的一部分。

圖1D是存儲器封裝的一個實施例的框圖。

圖2是存儲器裸芯的一個實施例的框圖。

圖3是單片三維存儲器結構的一個實施例的一部分的透視圖。

圖4A是具有兩個平面的存儲器結構的框圖。

圖4B描繪存儲器單元的塊的一部分的頂視圖。

圖4C描繪存儲器單元的塊的一部分的橫截面視圖。

圖4D描繪選擇柵極層和字線層的視圖。

圖4E是存儲器單元的垂直列的橫截面視圖。

圖4F是多個NAND串的示意圖。

圖5描繪了閾值電壓分布。

圖6是描述將數據值分配給數據狀態的一個示例的表格。

圖7是描述用于根據溫度調節(例如，編程或以其他方式改變)選擇柵極的閾值電壓的過程的一個實施例的流程圖。

圖8是描繪大量選擇柵極的閾值電壓分布的圖。

圖9是描述用于通過測試一個或多個選擇柵極的閾值電壓是否在可接受的閾值電壓范圍內來識別要編程的一個或多個選擇柵極的過程的一個實施例的流程圖。例如，該過程可以用于測試和確定需要對塊的漏極側選擇柵極進行編程。

圖10A是描述用于對一個或多個選擇柵極進行編程的過程的一個實施例的流程圖。

圖10B是描繪被擦除的選擇柵極集合的閾值電壓分布的圖。

圖10C是描繪接收編程的選擇柵極集合的閾值電壓分布的圖。

圖11是描述用于擦除選擇柵極的過程的一個實施例的流程圖。

圖12是描述用于對選擇柵極進行編程的過程的一個實施例的流程圖。

圖13A-圖13E描繪了在擦除過程期間的各種信號。