[發(fā)明專利]具有可根據(jù)溫度調(diào)節(jié)的選擇柵極的非易失性儲存系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980004804.X
• 申請日: 2019-02-05
• 公開（公告）號: CN111164698B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M.R.古普塔;M.普拉馬德;B.雷;J.賴;X.科斯塔
• 申請（專利權(quán)）人: 西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司
• 主分類號: G11C29/02
• 分類號: G11C29/02;G11C16/04
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種非易失性儲存裝置，包括：

以存儲器單元組布置的多個非易失性存儲器單元，每組存儲器單元包括數(shù)據(jù)存儲器單元和一個或多個選擇柵極，所述選擇柵極是可編程的；以及

與所述多個非易失性存儲器單元通信的一個或多個控制電路，所述一個或多個控制電路被配置為：

確定所述選擇柵極應(yīng)被編程，

確定所述非易失性存儲器單元處的溫度是否大于最小溫度，

響應(yīng)于確定所述選擇柵極應(yīng)被編程并且響應(yīng)于確定所述非易失性存儲器單元處的所述溫度大于所述最小溫度，對所述選擇柵極進行編程，

并且響應(yīng)于確定所述選擇柵極應(yīng)被編程，如果在所述非易失性存儲器單元處的溫度不大于所述最小溫度，則推遲對所述選擇柵極的編程。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性儲存裝置，其中：

所述一個或多個控制電路被配置為推遲對識別為要被編程的所述選擇柵極的編程，直到所述非易失性存儲器單元處的溫度大于所述最小溫度為止。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非易失性儲存裝置，其中：

所述一個或多個控制電路被配置為通過測試所述選擇柵極的閾值電壓是否在可接受的閾值電壓范圍內(nèi)來確定所述選擇柵極應(yīng)被編程。

4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3中任一項所述的非易失性儲存裝置，其中：

所述一個或多個控制電路被配置為通過首先降低所述選擇柵極的閾值電壓并隨后升高所述選擇柵極的閾值電壓來對所述選擇柵極進行編程。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性儲存裝置，其中：

所述一個或多個控制電路被配置為通過調(diào)節(jié)所述選擇柵極的閾值電壓來對所述選擇柵極進行編程。

6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3中任一項所述的非易失性儲存裝置，其中：

所述一個或多個控制電路被配置為通過調(diào)節(jié)所述選擇柵極的非易失性屬性來對所述選擇柵極進行編程。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的非易失性儲存裝置，其中：

所述一個或多個控制電路被配置為響應(yīng)于確定所述非易失性存儲器單元處的溫度不大于所述最小溫度，而對所述多個非易失性存儲器單元執(zhí)行偽存儲器操作以升高所述非易失性存儲器單元的溫度，所述一個或多個控制電路被配置為在對所述多個非易失性存儲器單元執(zhí)行所述偽存儲器操作之后對所述選擇柵極進行編程。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的非易失性儲存裝置，其中：

所述一個或多個控制電路被配置為響應(yīng)于確定所述非易失性存儲器單元處的溫度不大于所述最小溫度，而對所述多個非易失性存儲器單元執(zhí)行多個讀取操作以升高所述非易失性存儲器單元的溫度，所述多個讀取操作不是響應(yīng)于從與所述非易失性儲存裝置通信的主機讀取的請求而執(zhí)行的，所述一個或多個控制電路被配置為在對所述多個非易失性存儲器單元執(zhí)行所述讀取操作之后對所述選擇柵極進行編程。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的非易失性儲存裝置，其中：

所述多個非易失性存儲器單元包括具有電荷俘獲區(qū)域的垂直NAND串，所述垂直NAND串包括每個垂直NAND串的多個漏極側(cè)選擇柵極以及源極側(cè)選擇柵極，應(yīng)被編程的所述選擇柵極是所述漏極側(cè)選擇柵極中的一個。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的非易失性儲存裝置，其中：

所述多個非易失性存儲器單元位于存儲器裸芯上；和

所述一個或多個控制電路包括連接至所述存儲器裸芯的控制器，所述控制器被配置為從所述存儲器裸芯請求所述非易失性存儲器單元處的所述溫度。