[發(fā)明專(zhuān)利]部件的形成方法和等離子體處理裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980004518.3
• 申請(qǐng)日: 2019-05-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111095499A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 齋藤道茂;永關(guān)一也;金子彰太
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/3065
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/3065;H05H1/46
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;王昊

本發(fā)明提供一種在等離子體處理裝置內(nèi)使用的部件的形成方法，所述部件的形成方法包括一邊供給第1陶瓷的原料和與該第1陶瓷不同的第2陶瓷的原料，一邊對(duì)所述第1陶瓷的原料和所述第2陶瓷的原料照射能量束的工序。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及部件的形成方法和等離子體處理裝置。

背景技術(shù)

近年來(lái)，等離子體處理裝置中設(shè)置的部件，為了實(shí)現(xiàn)高功能化而結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜，存在由不同的材料粘接、或接合，來(lái)進(jìn)行制作的情況(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2018-46185號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題

在上述部件的制作中，有中空結(jié)構(gòu)等復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，需要長(zhǎng)時(shí)間的生產(chǎn)周期和開(kāi)發(fā)周期，因此制作部件時(shí)耗費(fèi)時(shí)間(lead time)增加，成為技術(shù)問(wèn)題。要求減少部件的制造工藝中的步驟數(shù)，縮短耗費(fèi)時(shí)間。

對(duì)于上述技術(shù)問(wèn)題，其目的在于，在一側(cè)面中，縮短制作部件時(shí)的耗費(fèi)時(shí)間。

用于解決技術(shù)問(wèn)題的方法

為了上述技術(shù)問(wèn)題，依照一個(gè)方式，提供一種在等離子體處理裝置內(nèi)使用的部件的形成方法，所述部件的形成方法包括一邊供給第1陶瓷的原料和與該第1陶瓷不同的第2陶瓷的原料，一邊對(duì)所述第1陶瓷的原料和所述第2陶瓷的原料照射能量束的工序。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，能夠縮短制作部件時(shí)的耗費(fèi)時(shí)間。

附圖說(shuō)明

圖1是表示一實(shí)施方式的等離子體處理裝置的一例的圖。

圖2是圖1所示的等離子體處理裝置的載置臺(tái)的一部分的放大圖。

圖3是表示一實(shí)施方式的3D打印機(jī)的構(gòu)成的一例的圖。

圖4是表示一實(shí)施方式的部件的形成處理的一例流程圖。

圖5是用于說(shuō)明一實(shí)施方式的部件的形成方法的圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖，對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式進(jìn)行說(shuō)明。此外，在本說(shuō)明書(shū)和附圖中，對(duì)于實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略重復(fù)的說(shuō)明。

(等離子體處理裝置)

圖1所示的等離子體處理裝置100是電容耦合型的等離子體處理裝置的一例。等離子體處理裝置100包括處理容器112和載置臺(tái)116。處理容器112具有大致圓筒形狀，其內(nèi)部空間成為處理室112c。處理容器112例如由鋁構(gòu)成。在處理容器112的內(nèi)部空間側(cè)的表面形成了具有耐酸鋁膜和/或氧化釔膜之類(lèi)的耐等離子體性的陶瓷制的覆膜。處理容器112接地。在處理容器112的側(cè)壁，形成有用于將晶片W送入處理室112c或從處理室112c送出的開(kāi)口112p。開(kāi)口112p能夠由閘閥GV進(jìn)行開(kāi)閉。

載置臺(tái)116構(gòu)成為能夠?qū)⒕琖支承在處理室112c內(nèi)。載置臺(tái)116具有吸附晶片W的功能、調(diào)節(jié)晶片W的溫度的功能和對(duì)靜電吸盤(pán)的下方的基座117傳輸高頻的結(jié)構(gòu)。對(duì)載置臺(tái)116的詳細(xì)情況，在后面說(shuō)明。

等離子體處理裝置100具有上部電極130。上部電極130配置于處理容器112的上部開(kāi)口內(nèi)，相對(duì)于作為下部電極發(fā)揮作用的載置臺(tái)116大致平行地配置。在上部電極130與處理容器112之間，存在絕緣性的支承零件132。