[發明專利]部件的形成方法和等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 201980004518.3
• 申請日: 2019-05-10
• 公開（公告）號: CN111095499A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 齋藤道茂;永關一也;金子彰太
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H05H1/46
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;王昊

1.一種部件的形成方法，該部件在等離子體處理裝置內使用，所述部件的形成方法的特征在于,包括：

一邊供給第1陶瓷的原料和與所述第1陶瓷不同的第2陶瓷的原料，一邊對所述第1陶瓷的原料和所述第2陶瓷的原料照射能量束的工序。

2.如權利要求1所述部件的形成方法，其特征在于，包括：

一邊供給所述第1陶瓷和所述第2陶瓷的一種原料，一邊對所述一種原料照射能量束的工序；和

一邊供給所述第1陶瓷和所述第2陶瓷的另一種原料，一邊對所述另一種原料照射能量束的工序。

3.如權利要求1所述部件的形成方法，其特征在于：

以將所述第1陶瓷的原料與所述第2陶瓷的原料的配比連續或者階梯地改變的方式進行供給。

4.一種部件的形成方法，該部件在等離子體處理裝置內使用，所述部件的形成方法的特征在于，包括：

一邊供給金屬的原料一邊對所述金屬的原料照射能量束，來形成基座的工序；

一邊供給所述金屬的原料和陶瓷的原料一邊對所述金屬的原料和所述陶瓷的原料照射能量束，來形成邊界層的工序；和

一邊供給所述陶瓷的原料一邊對所述陶瓷的原料照射能量束，來形成陶瓷層的工序。

5.如權利要求4所述部件的形成方法，其特征在于：

所述形成邊界層的工序中，以將對所述基座之上供給的所述金屬的原料與陶瓷的原料的配比連續或者階梯地改變的方式進行供給。

6.如權利要求4所述部件的形成方法，其特征在于：

按照形成所述基座的工序、形成所述基座的工序和形成所述陶瓷層的工序的順序執行各工序。

7.如權利要求4所述部件的形成方法，其特征在于：

按照形成所述陶瓷層的工序、形成所述邊界層的工序和形成所述基座的工序的順序執行各工序。

8.如權利要求4所述部件的形成方法，其特征在于：

還包括一邊供給加熱器的原料一邊對所述加熱器的原料照射能量束，來形成加熱層的工序。

9.如權利要求4所述部件的形成方法，其特征在于：

還包括一邊供給電極膜的原料一邊對所述電極膜的原料照射能量束，來形成電極膜的工序。

10.如權利要求4所述部件的形成方法，其特征在于：

在所述基座中形成有流路。

11.如權利要求1所述部件的形成方法，其特征在于：

所述第1陶瓷的原料和所述第2陶瓷的原料為粉末狀。

12.如權利要求4所述部件的形成方法，其特征在于：

所述金屬的原料和所述陶瓷的原料為粉末狀。

13.如權利要求1所述部件的形成方法，其特征在于：

所述能量束對于所述第1陶瓷的原料和所述第2陶瓷的原料都是紫外線。

14.如權利要求4所述部件的形成方法，其特征在于：

所述能量束在所述金屬的原料的情況下為光學激光或者電子束，在所述陶瓷的原料的情況下為紫外線。

15.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

處理容器；

生成等離子體的等離子體生成裝置，所述等離子體用于在所述處理容器內在基片上進行蝕刻；和

配置于等離子體處理裝置內的部件，

所述部件是具有邊界層的部件，所述邊界層是通過一邊供給第1陶瓷的原料和與該第1陶瓷不同的第2陶瓷的原料，一邊對所述第1陶瓷的原料和所述第2陶瓷的原料照射能量束的工序而形成的。