[發明專利]電磁故障注入的檢測電路、安全芯片和電子設備

有效

• 申請號: 201980004310.1
• 申請日: 2019-08-16
• 公開（公告）號: CN111095004B
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發明（設計）人: 薛建鋒;楊江
• 申請（專利權）人: 深圳市匯頂科技股份有限公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00
• 代理公司: 北京龍雙利達知識產權代理有限公司 11329
• 代理人: 徐勇勇;孫濤

提供了一種電磁故障注入的檢測電路、安全芯片和電子設備，電磁故障注入的檢測電路包括：屏蔽層，用于屏蔽干擾；至少一組金屬氧化物半導體MOS管，所述至少一組MOS管的源端連接至所述屏蔽層；至少一個鎖存器，所述至少一組MOS管的漏端連接至所述至少一個鎖存器的輸入端；信號輸出模塊，所述信號輸出模塊的輸入端連接至所述至少一個鎖存器的輸出端。所述檢測電路能夠實時檢測并及時預警電磁故障注入，以保證芯片的魯棒性與安全性。此外，基于屏蔽層設計電磁故障注入的檢測電路，能夠達到有效簡化電路結構、節省電路面積、避免出現靜態功耗以及降低電路成本等目的。

技術領域

本申請實施例涉及電子領域，并且更具體地，涉及電磁故障注入的檢測電路、安全芯片和電子設備。

背景技術

安全芯片可以用于實現用戶身份識別與關鍵數據存儲等功能，其被廣泛應用于金融領域，是攻擊者的重點攻擊對象。攻擊者通過注入故障可以使芯片工作狀態發生錯誤，進而獲取芯片機密數據。

電磁故障注入(Electromagnetic Fault Inject,EMFI)是一種新型的安全芯片攻擊手段，攻擊者通過將磁場探頭至于芯片表面，可以在芯片局部注入電磁輻射，導致電路產生錯誤時序或異常翻轉，進而使得系統進入異常工作狀態而造成芯片關鍵信息泄露。

因此，本領域急需一種檢測電路，以實時檢測并及時預警電磁故障注入，進而保證芯片的魯棒性與安全性。

發明內容

本申請實施例提供一種電磁故障注入的檢測電路、安全芯片和電子設備，能夠實時檢測并及時預警電磁故障注入，進而保證芯片的魯棒性與安全性。

第一方面，提供了一種電磁故障注入的檢測電路，包括：

屏蔽層，用于屏蔽干擾；

至少一組金屬氧化物半導體MOS管，所述至少一組MOS管的源端連接至所述屏蔽層；

至少一個鎖存器，所述至少一組MOS管的漏端連接至所述至少一個鎖存器的輸入端；

信號輸出模塊，所述信號輸出模塊的輸入端連接至所述至少一個鎖存器的輸出端，所述信號輸出模塊用于基于所述至少一個鎖存器的輸出端的電壓變化生成并輸出目標信號，所述目標信號用于指示所述屏蔽層是否存在電磁故障注入；

其中，所述至少一組MOS管中的部分或全部MOS導通時，所述信號輸出模塊用于輸出第一目標信號，所述第一目標信號用于指示所述屏蔽層存在電磁故障注入，所述至少一組MOS管均斷開時，所述信號輸出模塊用于輸出第二目標信號，所述第二目標信號用于指示所述屏蔽層不存在電磁故障注入。

通過所述至少一組MOS管能夠檢測出所述屏蔽層是否出現異常電壓，通過所述至少一組MOS管對應的鎖存器能夠輸出所述信號輸出模塊15可識別的檢測信號，進而實時檢測并及時預警電磁故障注入，以保證芯片的魯棒性與安全性。

此外，基于屏蔽層設計電磁故障注入的檢測電路，能夠達到有效簡化電路結構、節省電路面積、避免出現靜態功耗以及降低電路成本等目的。

在一些可能的實現方式中，所述至少一組MOS管中的第一組MOS管的漏端連接至所述至少一個鎖存器中的第一鎖存器的輸入端，所述第一組MOS管的柵端連接至地電壓，所述第一鎖存器的輸入端連接至電源電壓。

在一些可能的實現方式中，所述檢測電路還包括：

第一開關，所述第一鎖存器的輸入端通過所述第一開關連接至所述電源電壓。

在一些可能的實現方式中，所述至少一組MOS管中的第二組MOS管的漏端連接至所述至少一個鎖存器中的第二鎖存器的輸入端，所述第二組MOS管的柵端連接至電源電壓，所述第二鎖存器的輸入端連接至地電壓。

在一些可能的實現方式中，所述檢測電路還包括：

第二開關；