[發明專利]電磁故障注入的檢測電路、安全芯片和電子設備

有效

• 申請號: 201980004310.1
• 申請日: 2019-08-16
• 公開（公告）號: CN111095004B
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發明（設計）人: 薛建鋒;楊江
• 申請（專利權）人: 深圳市匯頂科技股份有限公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00
• 代理公司: 北京龍雙利達知識產權代理有限公司 11329
• 代理人: 徐勇勇;孫濤

1.一種電磁故障注入的檢測電路，其特征在于，包括：

屏蔽層，用于屏蔽干擾；

至少一組金屬氧化物半導體MOS管，所述至少一組MOS管的源端連接至所述屏蔽層；

至少一個鎖存器，所述至少一組MOS管的漏端連接至所述至少一個鎖存器的輸入端；

信號輸出模塊，所述信號輸出模塊的輸入端連接至所述至少一個鎖存器的輸出端，所述信號輸出模塊用于基于所述至少一個鎖存器的輸出端的電壓變化生成并輸出目標信號，所述目標信號用于指示所述屏蔽層是否存在電磁故障注入；

其中，所述至少一組MOS管中的部分或全部MOS導通時，所述信號輸出模塊用于輸出第一目標信號，所述第一目標信號用于指示所述屏蔽層存在電磁故障注入，所述至少一組MOS管均斷開時，所述信號輸出模塊用于輸出第二目標信號，所述第二目標信號用于指示所述屏蔽層不存在電磁故障注入。

2.根據權利要求1所述的檢測電路，其特征在于，所述至少一組MOS管中的第一組MOS管的漏端連接至所述至少一個鎖存器中的第一鎖存器的輸入端，所述第一組MOS管的柵端連接至地電壓，所述第一鎖存器的輸入端連接至電源電壓。

3.根據權利要求2所述的檢測電路，其特征在于，所述檢測電路還包括：

第一開關，所述第一鎖存器的輸入端通過所述第一開關連接至所述電源電壓。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的檢測電路，其特征在于，所述至少一組MOS管中的第二組MOS管的漏端連接至所述至少一個鎖存器中的第二鎖存器的輸入端，所述第二組MOS管的柵端連接至電源電壓，所述第二鎖存器的輸入端連接至地電壓。

5.根據權利要求4所述的檢測電路，其特征在于，所述檢測電路還包括：

第二開關；

所述第二鎖存器的輸入端通過所述第二開關連接至所述地電壓。

6.根據權利要求5所述的檢測電路，其特征在于，所述檢測電路還包括：

第一反相器；

所述第二鎖存器的輸出端通過所述第一反相器連接至所述信號輸出模塊的輸入端，所述信號輸出模塊用于基于所述第一反相器的輸出端的電壓變化生成并輸出所述目標信號。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的檢測電路，其特征在于，所述屏蔽層包括：

至少一個金屬線；

所述至少一個金屬線上設置有至少一個檢測節點，所述至少一個檢測節點通過所述至少一組MOS管連接至所述至少一個鎖存器的輸入端。

8.根據權利要求1至3中任一項所述的檢測電路，其特征在于，所述至少一組MOS管為多組MOS管，所述多組MOS管中的不同組MOS管的漏端連接至不同鎖存器的輸入端。

9.根據權利要求1至3中任一項所述的檢測電路，其特征在于，所述至少一組MOS管為多組MOS管，所述多組MOS管中的不同組MOS管包括不同類型的MOS管。

10.根據權利要求1至3中任一項所述的檢測電路，其特征在于，所述至少一個鎖存器中的每個鎖存器包括：

第二反相器和第三反相器；

所述第二反相器的輸入端連接至所述第三反相器的輸出端，所述第二反相器的輸出端連接至所述第三反相器的輸入端，所述第二反相器的輸入端或所述第三反相器的輸入端為鎖存器的輸入端。

11.根據權利要求1至3中任一項所述的檢測電路，其特征在于，所述信號輸出模塊包括第一輸出端和第二輸出端，所述第一輸出端的輸出與所述第二輸出端的輸出反相。

12.根據權利要求1至3中任一項所述的檢測電路，其特征在于，所述信號輸出模塊為D觸發器。