[發(fā)明專(zhuān)利]三維存儲(chǔ)器件及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980003403.2
• 申請(qǐng)日: 2019-11-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111052381B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐文祥;楊號(hào)號(hào);黃攀;嚴(yán)萍;霍宗亮;周文斌;徐偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11551
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 北京永新同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝

1.一種用于形成三維(3D)存儲(chǔ)器件的方法，包括：

在襯底上形成交替電介質(zhì)堆疊層；

在所述交替電介質(zhì)堆疊層的上部部分中形成頂部選擇柵切口和兩個(gè)結(jié)構(gòu)強(qiáng)化插塞，其中，每一結(jié)構(gòu)強(qiáng)化插塞具有窄支撐主體和兩個(gè)擴(kuò)大的連接部分；

在所述交替電介質(zhì)堆疊層中形成多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)；

在所述交替電介質(zhì)堆疊層中形成多條柵縫隙，其中，每一柵縫隙暴露對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)強(qiáng)化插塞的一個(gè)擴(kuò)大的連接部分的側(cè)壁；

將所述交替電介質(zhì)堆疊層轉(zhuǎn)換為交替導(dǎo)電/電介質(zhì)堆疊層；以及

在包括連接至對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)強(qiáng)化插塞的一個(gè)擴(kuò)大的連接部分的擴(kuò)大的末端部分的每一柵縫隙中形成柵縫隙結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述交替電介質(zhì)堆疊層包括：

形成在垂直方向堆疊的至少32個(gè)電介質(zhì)層對(duì)，其中，每一電介質(zhì)層對(duì)包括第一電介質(zhì)層和不同于所述第一電介質(zhì)層的第二電介質(zhì)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述頂部選擇柵切口和所述結(jié)構(gòu)強(qiáng)化插塞是在單個(gè)工藝中同時(shí)形成的。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，形成所述頂部選擇柵切口和所述兩個(gè)結(jié)構(gòu)強(qiáng)化插塞包括：

在所述交替電介質(zhì)堆疊層的上部部分中形成沿字線方向延伸的溝槽，并且在所述溝槽的兩側(cè)上形成兩個(gè)開(kāi)口；以及

在所述溝槽和所述兩個(gè)開(kāi)口中沉積絕緣材料，從而分別形成所述頂部選擇柵切口和所述兩個(gè)結(jié)構(gòu)強(qiáng)化插塞。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，形成所述溝槽和所述兩個(gè)開(kāi)口包括：

對(duì)所述交替電介質(zhì)堆疊層的頂部的三個(gè)電介質(zhì)層對(duì)進(jìn)行刻蝕，以形成所述溝槽和所述兩個(gè)開(kāi)口；

其中，所述兩個(gè)開(kāi)口沿位線方向與所述溝槽相距相同的距離。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，形成所述開(kāi)口包括：

使用H狀的圖案化掩模形成所述開(kāi)口，沿所述字線方向，所述開(kāi)口在中間在位線方向具有較小寬度，并且在兩端處在所述位線方向具有較大寬度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)包括：

形成貫穿所述交替電介質(zhì)層的多個(gè)溝道孔；

在所述多個(gè)溝道孔的側(cè)壁上形成功能層；

在每一溝道孔中形成覆蓋所述功能層的溝道層；以及

形成填充每一溝道孔的電介質(zhì)填充結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述多個(gè)溝道孔包括：

在相鄰的頂部選擇柵切口和結(jié)構(gòu)強(qiáng)化插塞之間形成相同行數(shù)的溝道孔。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成所述多個(gè)溝道孔包括：

在相鄰的頂部選擇柵切口和結(jié)構(gòu)強(qiáng)化插塞之間形成奇數(shù)行的溝道孔；

其中，每一行溝道孔與相鄰行溝道孔交錯(cuò)布置。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述多條柵縫隙包括：

在每一結(jié)構(gòu)強(qiáng)化插塞的兩側(cè)上形成一對(duì)貫穿所述交替電介質(zhì)堆疊層并且沿字線方向延伸的柵縫隙。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，將所述交替電介質(zhì)堆疊層轉(zhuǎn)換為所述交替導(dǎo)電/電介質(zhì)堆疊層包括：

利用導(dǎo)電層代替所述交替電介質(zhì)堆疊層中的所述第二電介質(zhì)層。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在每一柵縫隙中形成所述柵縫隙結(jié)構(gòu)包括：

在每一柵縫隙的側(cè)壁上形成柵縫隙膠合層；

在每一柵縫隙的下部部分中形成下部導(dǎo)電壁；

在每一柵縫隙的上部部分中形成上部導(dǎo)電壁。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在每一柵縫隙中形成所述柵縫隙結(jié)構(gòu)還包括：

在所述下部導(dǎo)電壁和所述上部導(dǎo)電壁之間形成另一柵縫隙膠合層；

其中，與所述上部導(dǎo)電壁相比，所述下部導(dǎo)電壁對(duì)所述3D存儲(chǔ)器件具有更小的應(yīng)力。