[發明專利]晶片支撐臺

有效

• 申請號: 201980003308.2
• 申請日: 2019-04-09
• 公開（公告）號: CN110832634B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 高橋朋大
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H05H1/46
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金成哲;王莉莉

晶片支撐臺(20)具備陶瓷基體(21)和桿(32)。陶瓷基體(21)具有晶片載置面(21a)，且從晶片載置面(21a)側依次埋設有RF電極(22)和加熱電極(27)。在陶瓷基體(21)上以從背面(21b)朝向RF電極(22)的方式設置有孔(21c)。桿(32)為Ni制或鐵鎳鈷合金制，并與露出于孔(21c)的底面的平板(23)接合，向RF電極(22)供給高頻電力。在桿(32)的外周面中的從基端部(32a)直到預定位置(32c)的區域設置有Au薄膜(34)。

技術領域

本發明涉及晶片支撐臺。

背景技術

作為在對晶片進行等離子體CVD成膜處理、等離子體蝕刻處理等時使用的晶片支撐臺，已知在陶瓷基體埋設高頻電極(RF電極)并利用該RF電極產生等離子體的晶片支撐臺。例如，在專利文獻1中公開的晶片支撐臺中，用于插入向RF電極引導電力的Ni制的桿的孔以朝向RF電極的方式形成于陶瓷板的背面。在該孔的底面露出有與RF電極連接的金屬制的導電性部件，其與插入孔中的桿通過釬焊并以能導通的方式接合。并且，該桿連接高頻電源，向RF電極供給電力。另外，在陶瓷基體中也埋設有用于對晶片進行加熱的加熱電極。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2008-130609號公報

發明內容

發明所要解決的課題

然而，在上述的晶片支撐臺中，在對加熱電極通電來將晶片的溫度加熱至預先設定的溫度(例如450℃-550℃)時，存在晶片中的與RF電極連接的桿的正上方部分的溫度成為異常高溫的情況。這樣，若在晶片中存在異常高溫的部分，則存在如下問題：在對晶片實施的等離子體處理中產生不均。

本發明是為了解決這樣的課題而完成的，其主要目的在于：以低成本防止晶片中的與RF電極連接的桿的正上方部分的溫度成為異常高溫。

用于解決課題的方案

本發明的晶片支撐臺具備：

陶瓷基體，該陶瓷基體具有晶片載置面，且從上述晶片載置面側依次埋設有RF電極和加熱電極；

孔，該孔從上述陶瓷基體的與上述晶片載置面相反側的面朝向上述RF電極地設置；

Ni制或鐵鎳鈷合金制的桿，該桿與露出于上述孔的底面的上述RF電極或者與和上述RF電極連接的導電性部件接合，向上述RF電極供給高頻電力；以及

銅族元素薄膜，該銅族元素薄膜設于上述桿的外周面中的從上述桿的基端部直到未插入上述孔中的預定位置的區域。

在該晶片支撐臺中，為了向RF電極供給高頻電力而使用Ni制或鐵鎳鈷合金制的桿。若對這樣的桿施加高頻電力，則在不足居里點(Ni為約354℃，鐵鎳鈷合金為約435℃)的情況下，由于阻抗較大而成為高溫，在居里點以上的情況下，由于阻抗較小而不易成為高溫。如上述，晶片中的桿的正上方部分的溫度會異常高，可認為是由于桿整體成為高溫，所以從陶瓷基體經由桿而散出的熱少于設想。在本發明的晶片支撐臺中，在桿的外周面中的從桿的基端部直到未插入孔中的預定位置的區域也就是離陶瓷基體較遠的區域，設有銅族元素薄膜。在該情況下，由于銅族元素(Cu、Ag或Au)的阻抗較小，而且因表皮效應高頻通過銅族元素薄膜，因此，設置有銅族元素薄膜的部分(離陶瓷基體較遠的部分)不易成為高溫，不會妨礙陶瓷基體的散熱。另一方面，桿的插入孔中的部分接近加熱電極而成為高溫，所以原本對陶瓷基體的散熱幾乎沒有貢獻。因此，在該部分設置銅族元素薄膜在經濟上是不利的。因此，根據本發明的晶片支撐臺，能夠以低成本防止晶片中的與RF電極連接的桿的正上方部分的溫度成為異常高溫。