[發明專利]晶片支撐臺

有效

• 申請號: 201980003308.2
• 申請日: 2019-04-09
• 公開（公告）號: CN110832634B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 高橋朋大
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H05H1/46
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金成哲;王莉莉

1.一種晶片支撐臺，其特征在于，具備：

陶瓷基體，該陶瓷基體具有晶片載置面，且從上述晶片載置面側依次埋設有RF電極和加熱電極；

孔，該孔從上述陶瓷基體的與上述晶片載置面相反側的面朝向上述RF電極地設置；

Ni制或鐵鎳鈷合金制的桿，該桿與露出于上述孔的底面的上述RF電極或者與和上述RF電極連接的導電性部件接合，向上述RF電極供給高頻電力；以及

銅族元素薄膜，該銅族元素薄膜設于上述桿的外周面中的從上述桿的基端部直到未插入上述孔中的預定位置的區域。

2.根據權利要求1所述的晶片支撐臺，其特征在于，

上述銅族元素薄膜的厚度為3μm以上6μm以下。

3.根據權利要求1或2所述的晶片支撐臺，其特征在于，

上述預定位置以如下方式來確定：使用未設置上述銅族元素薄膜的上述桿來代替設置有上述銅族元素薄膜的上述桿，在將上述加熱電極的溫度設為Ts[℃]，其中，Ts超過上述桿的材質的居里點，將上述桿的長度設為L[cm]，將上述桿的兩端部的溫度差設為ΔT[℃]，將上述桿的從前端部直到上述預定位置的長度設為x[cm]，將上述桿的上述預定位置的溫度設為T(x)[℃]時，使以T(x)＝Ts-(ΔT/L)*x表示的T(x)成為上述桿的材質的居里點以下。

4.根據權利要求1或2所述的晶片支撐臺，其特征在于，

上述銅族元素薄膜不設置在上述桿的配置于上述陶瓷基體的內部的區域，而設置在除此以外的區域。

5.根據權利要求1或2所述的晶片支撐臺，其特征在于，

具備：設置于上述孔的內周面的螺紋槽；以及套筒，該套筒由與上述桿相同的材料構成且在外周面具備螺紋牙，擰入上述孔并進行釬焊接合，

上述桿的前端部插入上述套筒，并與上述套筒的內周面進行釬焊接合。