[發明專利]一種顯示基板及其制造方法

在審

• 申請號: 201980002909.1
• 申請日: 2019-11-28
• 公開（公告）號: CN111033762A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 洪溫振;周充佑;汪楷倫;許時淵
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/677;H01L25/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文

本發明提供了一種顯示基板及其制造方法，所述顯示基板包括：背板和多個Micro?LED芯片；所述Micro?LED芯片包括第一電極和第二電極；所述背板上設置有凹槽，所述Micro?LED芯片通過所述第一電極和所述第二電極插接在所述凹槽內與所述背板電連接。本申請通過在背板上設置與第一電極和第二電極相匹配的凹槽，當Micro?LED芯片有缺陷時，只需要將有缺陷的Micro?LED芯片從凹槽內拔出，重新插接一個無缺陷的Micro?LED芯片到對應的凹槽內，Micro?LED芯片更換方便，克服了傳統通過加熱焊料對Micro?LED芯片進行更換帶來的芯片松動移位的問題。

技術領域

本發明屬于半導體光電子技術領域，尤其涉及一種顯示基板及其制造方法。

背景技術

Micro-LED技術，即LED微縮化和矩陣化技術，具有良好的穩定性，壽命，以及運行溫度上的優勢，同時也承繼了LED低功耗、色彩飽和度、反應速度快、對比度強等優點，Micro-LED的亮度更高，且功率消耗量更低，使得Micro-LED具有極大地應用前景。目前Micro-LED芯片安裝于背板的方式大多是先在背板上對應的電極位置設置焊料塊，通過將Micro-LED芯片的電極與焊料塊對準連接，焊料塊在加熱的狀態下呈現熔融狀態，冷卻降溫固化來實現Micro-LED芯片與背板的電連接。

當某一個或多個Micro-LED芯片存在缺陷需要進行更換或轉移時，通常需要對一定區域的焊料進行加熱，通過焊料融化使Micro LED芯片與背板分離。但這種方法很難做到只針對有缺陷的Micro-LED芯片下方的焊料進行加熱，導致與有缺陷Micro-LED芯片相鄰的Micro-LED芯片下方的焊料也融化掉，從而造成Micro-LED芯片松動移位，影響Micro-LED芯片的發光性能。

因此，現有技術有待于進一步的改進。

發明內容

鑒于上述現有技術中的不足之處，本發明的目的在于提供一種顯示基板及其制造方法，克服現有顯示基板中的Micro-LED芯片通過焊料塊與背板電連接，當Micro-LED芯片有缺陷時需要通過加熱使焊料塊融化將有缺陷的Micro-LED芯片與背板分離，容易造成與有缺陷Micro-LED芯片相鄰的正常的Micro-LED芯片松動移位，影響其發光性能的缺陷。

本發明所公開的第一實施例為一種顯示基板，包括背板和多個Micro-LED芯片，其中，所述Micro-LED芯片包括第一電極和第二電極；所述背板上設置有凹槽；所述Micro-LED芯片通過所述第一電極和所述第二電極插接在所述凹槽內與所述背板電連接。

所述的顯示基板，其中，所述凹槽內壁設置有導電層。

所述的顯示基板，其中，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽；

所述第一電極插接在所述第一凹槽內，所述第一電極的橫截面形狀與所述第一凹槽的橫截面形狀相同；

所述第二電極插接在所述第二凹槽內，所述第二電極的橫截面形狀與所述第二凹槽的橫截面形狀相同。

所述的顯示基板，其中，所述Micro-LED芯片還包括半導體層。

所述的顯示基板，其中，所述半導體層包括：

第一半導體層；

設置在所述第一半導體層上的活動層；

設置在所述活動層上的第二半導體層。

所述的顯示基板，其中，所述第一電極設置在所述第二半導體層上，所述第二電極設置在第一半導體層上。

所述的顯示基板，其中，所述第一電極為正電極，所述第二電極為負電極。

所述的顯示基板，其中，所述第一半導體層為N型半導體層，所述第二半導體層為P型半導體層。