[發明專利]一種顯示基板及其制造方法

在審

• 申請號: 201980002909.1
• 申請日: 2019-11-28
• 公開（公告）號: CN111033762A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 洪溫振;周充佑;汪楷倫;許時淵
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/677;H01L25/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文

1.一種顯示基板，包括背板和多個Micro-LED芯片，其特征在于，所述Micro-LED芯片包括第一電極和第二電極；所述背板上設置有凹槽；所述Micro-LED芯片通過所述第一電極和所述第二電極插接在所述凹槽內與所述背板電連接。

2.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述凹槽內壁設置有導電層。

3.根據權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽；

所述第一電極插接在所述第一凹槽內，所述第一電極的橫截面形狀與所述第一凹槽的橫截面形狀相同；

所述第二電極插接在所述第二凹槽內，所述第二電極的橫截面形狀與所述第二凹槽的橫截面形狀相同。

4.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述Micro-LED芯片還包括半導體層。

5.根據權利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述半導體層包括：

第一半導體層；

設置在所述第一半導體層上的活動層；

設置在所述活動層上的第二半導體層。

6.根據權利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述第一電極設置在所述第二半導體層上，所述第二電極設置在第一半導體層上。

7.根據權利要求6所述的顯示基板，其特征在于，所述第一電極為正電極，所述第二電極為負電極。

8.根據權利要求7所述的顯示基板，其特征在于，所述第一半導體層為N型半導體層，所述第二半導體層為P型半導體層。

9.根據權利要求6所述的顯示基板，其特征在于，所述第一電極為負電極，所述第二電極為正電極。

10.根據權利要求9所述的顯示基板，其特征在于，所述第一半導體層為P型半導體層，所述第二半導體層為N型半導體層。

11.根據權利要求6所述的顯示基板，其特征在于，所述第二電極高度大于所述活動層和所述第二半導體層的厚度之和。

12.一種顯示基板的制造方法，用于制造如權利要求1～11任一項所述的顯示基板，其特征在于，該顯示基板上的Micro-LED芯片的制造方法包括如下步驟：

在基板上形成半導體層；

在所述基板和所述半導體層上形成光阻層；

對所述光阻層進行曝光顯影去除所述半導體層上與第一電極和第二電極位置對應的光阻材料；

在所述半導體層上形成第一電極和第二電極。

13.根據權利要求12所述的顯示基板的制造方法，其特征在于，所述半導體層包括第一半導體層、第二半導體層和活動層，所述在基板上形成半導體層的步驟包括：

在基板上形成第一半導體層；

在所述第一半導體層上形成活動層；

在所述活動層上形成第二半導體層。

14.根據權利要求13所述的顯示基板的制造方法，其特征在于，所述光阻層遠離所述基板的一面到所述基板的距離大于所述第二半導體層遠離所述基板的一面到所述基板的距離。

15.根據權利要求12所述的顯示基板的制造方法，其特征在于，所述在所述半導體層上形成第一電極和第二電極的步驟之后還包括：

去除所述基板和半導體層上的光阻層。