[發明專利]提供壞列修復的存儲器設備和操作其的方法

有效

• 申請號: 201980001417.0
• 申請日: 2019-07-12
• 公開（公告）號: CN110546709B
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: 陳嘉偉;湯強;侯春源
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44;G11C29/18
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 劉柳;楊錫勱

存儲器設備包括存儲器陣列、第一緩沖器、第二緩沖器、修復邏輯電路和內部存儲器。操作存儲器設備的方法包括：修復邏輯電路從內部存儲器接收壞列表，壞列表包含在存儲器陣列中的壞列的信息；第一緩沖器接收第一數據；修復邏輯電路從第一緩沖器接收第一數據；以及修復邏輯電路根據壞列表將第一數據映射到第二數據上。

技術領域

本發明涉及非易失性存儲器，且特別是涉及提供壞列修復的存儲器設備和操作其的方法。

背景技術

用于在移動設備和消費電子設備中的數據存儲的非易失性存儲器被廣泛地采用。實際上，在單獨的單元、一組單元、位線的一部分或甚至整個位線中的各種缺陷存在于非易失性存儲器中，且因此受影響的部分不能可靠地被使用。包含這樣的缺陷的列被稱為壞列。

在相關領域中，冗余列在子平面基礎上被合并以代替在存儲器中的壞列，這樣的方法需要額外的電路面積，且由于冗余列只對指定子平面變得可用而是低效的。

因此，提供具有基于全平面的壞列修復的存儲器設備和控制其的方法是合乎需要的，其增強電路面積效率，同時管理壞列以提供可靠的存儲器操作。

發明內容

在一個實施例中，公開了操作存儲器設備的方法。所述存儲器設備包括存儲器陣列、第一緩沖器、第二緩沖器、修復邏輯電路和內部存儲器。該方法包括：所述修復邏輯電路從所述內部存儲器接收壞列表，所述壞列表包含在所述存儲器陣列中的壞列的信息；所述第一緩沖器接收第一數據；所述修復邏輯電路從所述第一緩沖器接收所述第一數據；以及所述修復邏輯電路根據所述壞列表將所述第一數據映射到第二數據上。

在另一實施例中，提供了包括第一緩沖器、第二緩沖器、存儲器陣列、內部存儲器和修復邏輯電路的存儲器設備。所述第一緩沖器用于接收第一數據。所述第二緩沖器用于接收第二數據。所述存儲器陣列被耦合到所述第一緩沖器和所述第二緩沖器中的一者，以及包括存儲器單元的陣列。所述內部存儲器用于存儲包含所述存儲器陣列的壞列的信息的壞列表。所述修復邏輯電路被耦合到所述內部存儲器和在所述第一緩沖器和所述第二緩沖器之間，并用于從所述第一緩沖器接收所述第一數據，根據所述壞列表將所述第一數據映射到第二數據上，并將所述第二數據發送給所述第二緩沖器。

在又一實施例中，提供了包括第一緩沖器、存儲器陣列、內部存儲器和修復邏輯電路的存儲器設備。所述第一緩沖器用于接收第一數據。所述存儲器陣列包括存儲器單元的陣列。所述內部存儲器用于存儲包含所述存儲器陣列的壞列的信息的壞列表。所述修復邏輯電路被耦合到所述內部存儲器和在所述第一緩沖器和所述存儲器陣列之間，并用于從所述第一緩沖器接收所述第一數據，根據所述壞列表將所述第一數據映射到第二數據上，并將所述第二數據發送給所述存儲器陣列。

在閱讀了在各種附圖和繪圖中示出的優選實施例的下面的詳細描述之后，本發明的這些和其它目的無疑對本領域中的普通技術人員將變得顯而易見。

附圖說明

被合并在本文中并形成說明書的一部分的附圖示出本公開內容的實施例，且連同描述一起進一步用于解釋本公開內容的原理，并使相關領域中的技術人員能夠制造并使用本公開內容。

圖1是根據本發明的實施例的存儲器設備的方塊圖。

圖2是包含壞列的在圖1中的存儲器設備的示例性存儲器陣列。

圖3示出采用在圖1中的存儲器設備的示例性讀操作。

圖4是在存儲器設備1中的修復邏輯電路的方塊圖。

圖5是控制在圖4中的修復邏輯電路的方法的流程圖。

圖6是根據本發明的另一實施例的存儲器設備的方塊圖。

圖7是根據本發明的又一實施例的存儲器設備的方塊圖。

圖8是控制在圖1、6或7中的存儲器設備的方法的流程圖。

具體實施方式