[發明專利]芯片互聯裝置、集成橋結構的基板及其制備方法有效
| 申請號: | 201980000565.0 | 申請日: | 2019-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN112136212B | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發明(設計)人: | 王紅超;沈健 | 申請(專利權)人: | 深圳市匯頂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/065 | 分類號: | H01L25/065 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 518045 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 裝置 集成 結構 及其 制備 方法 | ||
本申請部分實施例提供了一種芯片互聯裝置及其制備方法。芯片互聯裝置包括:第一芯片102、第二芯片103、基板101橋結構;橋結構包括絕緣本體104、位于絕緣本體內的導電件111、位于絕緣本體的表面的第一焊點109和第二焊點110,導電件111的第一端與第一焊點109連接,且第二端與第二焊點110連接;第一芯片102與第一焊點109連接,第二芯片103與第二焊點110連接;第一芯片和第二芯片均與基板連接,使得在實現芯片與芯片之間電氣互聯的同時工藝流程更加簡單,降低了組裝難度。
技術領域
本申請涉及封裝技術領域,特別涉及一種芯片互聯裝置、集成橋結構的基板及其制備方法。
背景技術
隨著半導體技術的演進,半導體集成度越來越高,隨之帶來的是芯片工藝尺度的持續縮小。對于芯片的集成需要在更小的面積上封裝更多的芯片,傳統的二維的芯片排布顯然已經無法滿足需求。為提高芯片封裝的密度,提出在第三維方向將芯片進行堆疊,在一個典型的3D封裝結構中,芯片和芯片之間需要進行電氣連接。
然而,發明人發現,在相關技術中,將芯片與芯片之間進行互聯的工藝流程復雜,組裝較難。
發明內容
本申請部分實施例的目的在于提供一種芯片互聯裝置、集成橋結構的基板及其制備方法,使得在實現芯片與芯片之間電氣互聯的同時工藝流程更加簡單,降低了組裝難度。
本申請實施例提供了一種芯片互聯裝置,包括:第一芯片、第二芯片、基板和橋結構;所述橋結構包括絕緣本體、位于絕緣本體內的導電件、位于絕緣本體的表面的第一焊點和第二焊點,所述導電件的第一端與所述第一焊點連接,且第二端與所述第二焊點連接;所述第一芯片與所述第一焊點連接,所述第二芯片與所述第二焊點連接;所述第一芯片和所述第二芯片均與所述基板連接。
本申請實施例還提供了一種芯片互聯裝置的制作方法,包括:制作橋結構;其中,所述橋結構包括絕緣本體、位于絕緣本體內的導電件、位于絕緣本體的表面的第一焊點和第二焊點,所述導電件的第一端與所述第一焊點連接,且第二端與所述第二焊點連接;將第一芯片與所述第一焊點連接,將第二芯片與所述第二焊點連接;將所述第一芯片和所述第二芯片均與所述基板連接,以形成所述芯片互聯裝置。
本申請實施例還提供了一種集成橋結構的基板,所述橋結構包括絕緣本體、位于所述絕緣本體內的導電件、位于所述絕緣本體的表面的第一焊點和第二焊點;所述導電件的第一端與所述第一焊點連接,且第二端與所述第二焊點連接,所述第一焊點用于供第一芯片連接,所述第二焊點用于供第二芯片連接;所述橋結構與所述基板的表面貼合。
本申請實施例還提供了一種集成橋結構的基板的制備方法,包括:制作橋結構,其中,所述橋結構包括絕緣本體、位于所述絕緣本體內的導電件、位于所述絕緣本體的表面的第一焊點和第二焊點,所述導電件的第一端與所述第一焊點連接,且第二端與所述第二焊點連接,所述第一焊點用于供第一芯片連接,所述第二焊點用于供第二芯片連接;將所述橋結構與所述基板貼合。
本申請實施例相對于現有技術而言,芯片互聯裝置包括:第一芯片、第二芯片、基板和位于基板外部的橋結構,橋結構包括絕緣本體、位于絕緣本體內的導電件、位于絕緣本體的表面的第一焊點和第二焊點,導電件的第一端與第一焊點連接,且第二端與第二焊點連接,使得橋結構能夠提供導電通路。第一焊點和第一芯片連接,第二焊點和第二芯片連接,使得第一芯片與第二芯片通過橋結構提供的導電通路可以實現電氣連接。第一芯片和第二芯片均與基板連接,使得芯片和基板之間能夠實現電氣互聯。由于,橋結構位于基板外部,無需植入基板內部,有利于降低組裝難度,在使得工藝流程更加簡單的同時,還能很好的實現第一芯片與第二芯片之間的電氣互聯。
例如,絕緣本體通過3D打印工藝制作而成。通過3D打印工藝制作絕緣本體,從而得到包含絕緣本體的橋結構,相對于相關技術中采用Si材料橋,無需模具和光罩等費用投入,制作工藝更加簡單,具有投入小啟動快的優點。采用3D打印可以實現微細結構的快速打印成型,能夠制作出尺寸微小的絕緣本體,從而得到尺寸微小的橋結構,有利于適應芯片工藝尺度的持續縮小。
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