[發(fā)明專利]芯片互聯(lián)裝置、集成橋結(jié)構(gòu)的基板及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980000565.0
• 申請(qǐng)日: 2019-04-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112136212B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王紅超;沈健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市匯頂科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/065
• 分類號(hào): H01L25/065
• 代理公司: 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種芯片互聯(lián)裝置，其特征在于，包括：第一芯片、第二芯片、基板和橋結(jié)構(gòu)；

所述橋結(jié)構(gòu)包括絕緣本體、位于所述絕緣本體內(nèi)的導(dǎo)電件、位于所述絕緣本體的表面的第一焊點(diǎn)和第二焊點(diǎn)，所述導(dǎo)電件的第一端與所述第一焊點(diǎn)連接，且第二端與所述第二焊點(diǎn)連接；所述絕緣本體內(nèi)部具有導(dǎo)電通道，所述導(dǎo)電件通過(guò)在所述導(dǎo)電通道內(nèi)填充導(dǎo)電材料形成，所述導(dǎo)電材料具有流動(dòng)性；

所述第一芯片與所述第一焊點(diǎn)連接，所述第二芯片與所述第二焊點(diǎn)連接；

所述第一芯片和所述第二芯片均與所述基板連接；

其中，所述絕緣本體通過(guò)3D打印工藝在所述第一芯片的部分表面和所述第二芯片的部分表面上制作而成，所述絕緣本體不完全覆蓋所述第一芯片和所述第二芯片；

所述第一焊點(diǎn)與所述第一芯片的引腳貼合，所述第二焊點(diǎn)與所述第二芯片的引腳貼合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片互聯(lián)裝置，其特征在于，所述絕緣本體采用絕緣高分子材料制作而成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片互聯(lián)裝置，其特征在于，所述橋結(jié)構(gòu)與所述基板的表面間隔預(yù)設(shè)距離。

4.一種芯片互聯(lián)裝置的制備方法，其特征在于，包括：

制作橋結(jié)構(gòu)；其中，所述橋結(jié)構(gòu)包括絕緣本體、位于所述絕緣本體內(nèi)的導(dǎo)電件、位于所述絕緣本體的表面的第一焊點(diǎn)和第二焊點(diǎn)，所述導(dǎo)電件的第一端與所述第一焊點(diǎn)連接，且第二端與所述第二焊點(diǎn)連接；

將第一芯片與所述第一焊點(diǎn)連接，將第二芯片與所述第二焊點(diǎn)連接；

將所述第一芯片和所述第二芯片均與基板連接，以形成所述芯片互聯(lián)裝置；

其中，所述制作橋結(jié)構(gòu)，包括：

通過(guò)3D打印工藝制作所述絕緣本體；其中，所述絕緣本體內(nèi)形成有所述導(dǎo)電通道以及分別與所述導(dǎo)電通道兩端聯(lián)通的兩個(gè)凹槽；

利用導(dǎo)電材料填充所述導(dǎo)電通道形成所述導(dǎo)電件，利用所述導(dǎo)電材料填充所述兩個(gè)凹槽形成所述第一焊點(diǎn)和第二焊點(diǎn)；其中，所述導(dǎo)電材料具有流動(dòng)性；

其中，通過(guò)3D打印工藝制作所述絕緣本體，包括：

將所述第一芯片和所述第二芯片臨時(shí)固定在預(yù)置的載片上；

在所述第一芯片的部分表面和所述第二芯片的部分表面上通過(guò)3D打印制作絕緣本體；所述絕緣本體不完全覆蓋所述第一芯片和所述第二芯片；

在所述將所述第一芯片和所述第二芯片均與所述基板連接之前，還包括：將固定有所述第一芯片和所述第二芯片的所述載片進(jìn)行翻轉(zhuǎn)；

在所述將所述第一芯片和所述第二芯片均與所述基板連接之后，還包括：

將所述載片去除。