[發(fā)明專利]顯示基板及其制作方法和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980000443.1 | 申請日: | 2019-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN112106204B | 公開(公告)日: | 2022-08-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐智強;王鐵石;秦緯;滕萬鵬;徐傳祥 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
一種顯示基板及其制作方法和顯示裝置。該顯示基板包括第一像素單元和第二像素單元。第一像素單元包括層疊的第一電極和第一發(fā)光層;第二像素單元包括層疊的第二電極和第二發(fā)光層;第一發(fā)光層的有效發(fā)光面積不等于第二發(fā)光層的有效發(fā)光面積;在正對于顯示基板的顯示側(cè)的方向上,第一像素單元中暴露的第一電極的光反射面積等于第二像素單元中暴露的第二電極的光反射面積。該顯示基板可以抑制色偏不良。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開的實施例涉及一種顯示基板及其制作方法和顯示裝置。
背景技術(shù)
有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示面板由于具有視角寬、對比度高、響應(yīng)速度快以及相比于無機發(fā)光顯示器件的更高的發(fā)光亮度、更低的驅(qū)動電壓等優(yōu)勢而逐漸受到人們的廣泛關(guān)注。由于上述特點,有機發(fā)光二極管(OLED)顯示面板可以適用于手機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相機、儀器儀表等具有顯示功能的裝置。
發(fā)明內(nèi)容
本公開的至少一個實施例提供了一種顯示基板,該顯示基板包括第一像素單元和第二像素單元。所述第一像素單元包括層疊的第一電極和第一發(fā)光層;所述第二像素單元包括層疊的第二電極和第二發(fā)光層;所述第一發(fā)光層的有效發(fā)光面積不等于所述第二發(fā)光層的有效發(fā)光面積;在正對于所述顯示基板的顯示側(cè)的方向上,所述第一像素單元中暴露的所述第一電極的光反射面積等于所述第二像素單元中暴露的所述第二電極的光反射面積。
例如,在所述顯示基板的至少一個示例中,所述第一電極和所述第二電極間隔設(shè)置且彼此絕緣;所述第一電極的面積等于所述第二電極的面積。
例如,在所述顯示基板的至少一個示例中,所述的顯示基板還包括襯底基板和像素界定層。所述像素界定層設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),且形成有第一像素開口和第二像素開口;所述第一像素單元包括所述第一像素開口,所述第二像素單元包括所述第二像素開口;所述第一像素開口在所述襯底基板上的正投影位于所述第一電極在所述襯底基板上的正投影中,所述第二像素開口在所述襯底基板上的正投影位于所述第二電極在所述襯底基板上的正投影中;所述第一發(fā)光層在所述襯底基板上的正投影位于所述第一像素開口在所述襯底基板上的正投影中,所述第二發(fā)光層在所述襯底基板上的正投影位于所述第二像素開口在所述襯底基板上的正投影中。
例如,在所述顯示基板的至少一個示例中,所述第一像素開口的尺寸不等于所述第二像素開口的尺寸;以及所述第一發(fā)光層的有效發(fā)光面積為所述第一發(fā)光層在所述第一像素開口中的面積,以及所述第二發(fā)光層的有效發(fā)光面積為所述第二發(fā)光層在所述第二像素開口中的面積。
例如,在所述顯示基板的至少一個示例中,所述像素界定層與所述第一電極的交疊面積小于所述像素界定層與所述第二電極的交疊面積。
例如,在所述顯示基板的至少一個示例中,所述第一像素開口的尺寸等于所述第二像素開口的尺寸;以及所述第一發(fā)光層的有效發(fā)光面積小于所述第一像素開口的尺寸,所述第二發(fā)光層的有效發(fā)光面積小于所述第二像素開口的尺寸。
例如,在所述顯示基板的至少一個示例中,所述的顯示基板還包括透明絕緣層。所述透明絕緣層設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),且形成有第一絕緣層開口和第二絕緣層開口;以及所述第一發(fā)光層的有效發(fā)光面積為所述第一發(fā)光層在所述第一絕緣層開口中的面積,所述第二發(fā)光層的有效發(fā)光面積為所述第二發(fā)光層在所述第二絕緣層開口中的面積。
例如,在所述顯示基板的至少一個示例中,所述透明絕緣層與所述第一電極的交疊面積小于所述透明絕緣層與所述第二電極的交疊面積。
例如,在所述顯示基板的至少一個示例中,所述第一電極與所述第二電極所在的電極層、所述透明絕緣層和所述像素界定層在垂直于所述襯底基板的方向上順次設(shè)置。
例如,在所述顯示基板的至少一個示例中,所述第一電極與所述第二電極所在的所述電極層、所述像素界定層和所述透明絕緣層在垂直于所述襯底基板的方向上順次設(shè)置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





