[發(fā)明專利]顯示基板及其制作方法和顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980000443.1
• 申請(qǐng)日: 2019-04-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112106204B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐智強(qiáng);王鐵石;秦緯;滕萬(wàn)鵬;徐傳祥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種顯示基板，包括第一像素單元和第二像素單元，其中，所述第一像素單元包括層疊的第一電極和第一發(fā)光層；

所述第二像素單元包括層疊的第二電極和第二發(fā)光層；

所述第一發(fā)光層的有效發(fā)光面積不等于所述第二發(fā)光層的有效發(fā)光面積；以及

在正對(duì)于所述顯示基板的顯示側(cè)的方向上，所述第一像素單元中暴露的所述第一電極的光反射面積等于所述第二像素單元中暴露的所述第二電極的光反射面積，

其中，所述顯示基板還包括黑矩陣，所述光反射面積為能夠接收環(huán)境光線且能夠?qū)⒔邮盏降沫h(huán)境光線經(jīng)由所述黑矩陣反射到所述顯示基板的顯示側(cè)的電極區(qū)域的面積，

所述第一像素單元包括第一像素開(kāi)口，所述第二像素單元包括第二像素開(kāi)口，所述第一像素開(kāi)口的尺寸等于所述第二像素開(kāi)口的尺寸，以及所述第一發(fā)光層的有效發(fā)光面積小于所述第一像素開(kāi)口的尺寸，所述第二發(fā)光層的有效發(fā)光面積小于所述第二像素開(kāi)口的尺寸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中，所述第一電極和所述第二電極間隔設(shè)置且彼此絕緣；所述第一電極的面積等于所述第二電極的面積。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，還包括襯底基板和像素界定層，

其中，所述像素界定層設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，且形成有所述第一像素開(kāi)口和所述第二像素開(kāi)口；

所述第一像素開(kāi)口在所述襯底基板上的正投影位于所述第一電極在所述襯底基板上的正投影中，所述第二像素開(kāi)口在所述襯底基板上的正投影位于所述第二電極在所述襯底基板上的正投影中；

所述第一發(fā)光層在所述襯底基板上的正投影位于所述第一像素開(kāi)口在所述襯底基板上的正投影中，所述第二發(fā)光層在所述襯底基板上的正投影位于所述第二像素開(kāi)口在所述襯底基板上的正投影中。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其中，所述像素界定層與所述第一電極的交疊面積小于所述像素界定層與所述第二電極的交疊面積。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，還包括透明絕緣層，其中，所述透明絕緣層設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，且形成有第一絕緣層開(kāi)口和第二絕緣層開(kāi)口；以及

所述第一發(fā)光層的有效發(fā)光面積為所述第一發(fā)光層在所述第一絕緣層開(kāi)口中的面積，所述第二發(fā)光層的有效發(fā)光面積為所述第二發(fā)光層在所述第二絕緣層開(kāi)口中的面積。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板，其中，所述透明絕緣層與所述第一電極的交疊面積小于所述透明絕緣層與所述第二電極的交疊面積。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的顯示基板，其中，所述第一電極與所述第二電極所在的電極層、所述透明絕緣層和所述像素界定層在垂直于所述襯底基板的方向上順次設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的顯示基板，其中，所述第一電極與所述第二電極所在的電極層、所述像素界定層和所述透明絕緣層在垂直于所述襯底基板的方向上順次設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的顯示基板，還包括襯底基板和彩膜層，其中，所述彩膜層設(shè)置在所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)且包括所述黑矩陣；

所述黑矩陣形成有第一黑矩陣開(kāi)口和第二黑矩陣開(kāi)口；

所述第一像素單元包括所述第一黑矩陣開(kāi)口，所述第二像素單元包括所述第二黑矩陣開(kāi)口；

所述第一黑矩陣開(kāi)口在所述襯底基板上的正投影位于所述第一電極在所述襯底基板上的正投影中，所述第二黑矩陣開(kāi)口在所述襯底基板上的正投影位于所述第二電極在所述襯底基板上的正投影中；以及

所述第一黑矩陣開(kāi)口暴露所述第一電極的光反射區(qū)域，所述第二黑矩陣開(kāi)口暴露所述第二電極的光反射區(qū)域。