[發明專利]顯示基板及其制作方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 201980000443.1 | 申請日: | 2019-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN112106204B | 公開(公告)日: | 2022-08-16 |
| 發明(設計)人: | 徐智強;王鐵石;秦緯;滕萬鵬;徐傳祥 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,包括第一像素單元和第二像素單元,其中,所述第一像素單元包括層疊的第一電極和第一發光層;
所述第二像素單元包括層疊的第二電極和第二發光層;
所述第一發光層的有效發光面積不等于所述第二發光層的有效發光面積;以及
在正對于所述顯示基板的顯示側的方向上,所述第一像素單元中暴露的所述第一電極的光反射面積等于所述第二像素單元中暴露的所述第二電極的光反射面積,
其中,所述顯示基板還包括黑矩陣,所述光反射面積為能夠接收環境光線且能夠將接收到的環境光線經由所述黑矩陣反射到所述顯示基板的顯示側的電極區域的面積,
所述第一像素單元包括第一像素開口,所述第二像素單元包括第二像素開口,所述第一像素開口的尺寸等于所述第二像素開口的尺寸,以及所述第一發光層的有效發光面積小于所述第一像素開口的尺寸,所述第二發光層的有效發光面積小于所述第二像素開口的尺寸。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其中,所述第一電極和所述第二電極間隔設置且彼此絕緣;所述第一電極的面積等于所述第二電極的面積。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,還包括襯底基板和像素界定層,
其中,所述像素界定層設置在所述第一電極和所述第二電極的遠離所述襯底基板的一側,且形成有所述第一像素開口和所述第二像素開口;
所述第一像素開口在所述襯底基板上的正投影位于所述第一電極在所述襯底基板上的正投影中,所述第二像素開口在所述襯底基板上的正投影位于所述第二電極在所述襯底基板上的正投影中;
所述第一發光層在所述襯底基板上的正投影位于所述第一像素開口在所述襯底基板上的正投影中,所述第二發光層在所述襯底基板上的正投影位于所述第二像素開口在所述襯底基板上的正投影中。
4.根據權利要求3所述的顯示基板,其中,所述像素界定層與所述第一電極的交疊面積小于所述像素界定層與所述第二電極的交疊面積。
5.根據權利要求3所述的顯示基板,還包括透明絕緣層,其中,所述透明絕緣層設置在所述第一電極和所述第二電極的遠離所述襯底基板的一側,且形成有第一絕緣層開口和第二絕緣層開口;以及
所述第一發光層的有效發光面積為所述第一發光層在所述第一絕緣層開口中的面積,所述第二發光層的有效發光面積為所述第二發光層在所述第二絕緣層開口中的面積。
6.根據權利要求5所述的顯示基板,其中,所述透明絕緣層與所述第一電極的交疊面積小于所述透明絕緣層與所述第二電極的交疊面積。
7.根據權利要求5或6所述的顯示基板,其中,所述第一電極與所述第二電極所在的電極層、所述透明絕緣層和所述像素界定層在垂直于所述襯底基板的方向上順次設置。
8.根據權利要求5或6所述的顯示基板,其中,所述第一電極與所述第二電極所在的電極層、所述像素界定層和所述透明絕緣層在垂直于所述襯底基板的方向上順次設置。
9.根據權利要求1-6任一所述的顯示基板,還包括襯底基板和彩膜層,其中,所述彩膜層設置在所述第一發光層和所述第二發光層的遠離所述襯底基板的一側且包括所述黑矩陣;
所述黑矩陣形成有第一黑矩陣開口和第二黑矩陣開口;
所述第一像素單元包括所述第一黑矩陣開口,所述第二像素單元包括所述第二黑矩陣開口;
所述第一黑矩陣開口在所述襯底基板上的正投影位于所述第一電極在所述襯底基板上的正投影中,所述第二黑矩陣開口在所述襯底基板上的正投影位于所述第二電極在所述襯底基板上的正投影中;以及
所述第一黑矩陣開口暴露所述第一電極的光反射區域,所述第二黑矩陣開口暴露所述第二電極的光反射區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





