[實用新型]電路器件殼體、晶體管件、功率模塊及散熱底板有效
| 申請號： | 201922492194.2 | 申請日： | 2019-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN211182182U | 公開（公告）日： | 2020-08-04 |
| 發明（設計）人： | 朱賢龍;閆鵬修;王亞哲 | 申請（專利權）人： | 廣東芯聚能半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/06 | 分類號： | H01L23/06;H01L23/373 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 黃麗 |
| 地址： | 511458 廣東省廣州市南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電路 器件 殼體 晶體管 功率 模塊 散熱 底板 | ||
1.一種電路器件殼體，其特征在于，包括殼體本體，以及設置在殼體本體一側的用于與散熱底板燒結連接的鍍第一金屬層；
其中，所述鍍第一金屬層由燒結在所述殼體本體一側的第一金屬顆粒組成。
2.根據權利要求1所述的電路器件殼體，其特征在于，所述第一金屬顆粒包括銀顆粒或銅顆粒。
3.根據權利要求1所述的電路器件殼體，其特征在于，所述第一金屬顆粒包括納米銀顆粒。
4.一種晶體管件，其特征在于，包括晶體管電路、晶體管端子以及如權利要求1至3任意一項所述的電路器件殼體；
其中，所述晶體管電路設置在所述殼體本體內，并用于通過設置在所述殼體本體外所述晶體管端子與外部電路實現電連接。
5.根據權利要求4所述的晶體管件，其特征在于，所述晶體管電路包括MOSFET管電路；
所述晶體管端子包括柵極端子、漏極端子和源極端子。
6.一種功率模塊，其特征在于，包括功率模塊電路、功率模塊端子以及如權利要求1至3任意一項所述的電路器件殼體；
其中，所述功率模塊電路設置在所述殼體本體內，并用于通過設置在所述殼體本體外所述功率模塊端子與外部電路實現電連接。
7.根據權利要求6所述的功率模塊，其特征在于，所述功率模塊電路包括IGBT功率模塊電路；
所述功率模塊端子包括功率端子和信號端子。
8.一種散熱底板，其特征在于，包括底板本體，以及設置在底板本體一表面的用于與電路器件殼體燒結連接的鍍第二金屬層；
其中，所述鍍第二金屬層由燒結在所述底板本體一表面的第二金屬顆粒組成。
9.根據權利要求8所述的散熱底板，其特征在于，所述第二金屬顆粒包括銀顆粒或銅顆粒。
10.根據權利要求8所述的散熱底板，其特征在于，所述第二金屬顆粒包括納米銀顆粒。
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