[實用新型]一種多晶硅還原爐及其進氣噴嘴

有效

• 申請號: 201922488525.5
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN211366979U
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 余濤;周維維;楊鵬程;代曉濤
• 申請（專利權）人: 四川永祥多晶硅有限公司
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張雪嬌

本實用新型公開了一種多晶硅還原爐及其進氣噴嘴，具有直筒型噴腔，還具有螺旋型噴腔，一部分氣體通過直筒型噴腔沿著直線軌跡噴入到爐筒內，一部分氣體通過螺旋型噴腔沿著螺旋軌跡噴入到爐筒內。從直筒型噴腔中噴出的氣體直線進入到爐筒的上部。從螺旋型噴腔中噴出的氣體會螺旋上升，氣體既有軸向的位移，也有徑向的位移，即從螺旋噴腔噴出的氣體會邊向上移動邊向徑向上擴散，從而避免了爐筒下部氣體濃度較低，確保了硅棒下部穩定地生長。另外，本實用新型將進氣噴嘴的材質優選為氮化硅，氮化硅材質的進氣噴嘴具有優良的耐磨性，因此不會被氣體沖刷變形，從而規避了部分氣體偏流而影響硅棒的生長。本實用新型還公開了一種多晶硅還原爐。

技術領域

本實用新型涉及多晶硅生產領域，更具體地說，涉及一種多晶硅還原爐及其進氣噴嘴。

背景技術

多晶硅還原爐包括底盤、爐筒以及進氣噴嘴。爐筒罩設在底盤上，進氣噴嘴設置在底盤上。底盤上布置有多根硅棒。在現有技術中，進氣噴嘴的噴腔為直筒型，且噴腔的開口朝上。氣體通過噴嘴的噴腔向上噴入到爐筒內。但是，由于噴出的氣體的速度較高，大部分的氣體都是進入爐筒的上部，爐筒下部的氣體濃度較低，從而造成硅棒下部生長不穩定。

因此，如何避免爐筒下部的氣體濃度較低，從而確保硅棒的下部穩定生長，是本領域技術人員亟待解決的關鍵性問題。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種進氣噴嘴，該進氣噴嘴能夠避免爐筒下部的氣體濃度較低，從而確保硅棒的下部穩定生長。為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：

一種進氣噴嘴，具有直筒型噴腔，還具有螺旋型噴腔，一部分氣體通過所述直筒型噴腔沿著直線軌跡噴入到爐筒內，一部分氣體通過所述螺旋型噴腔沿著螺旋軌跡噴入到爐筒內。

優選地，所述螺旋型噴腔為多個。

優選地，多個所述螺旋型噴腔圍繞所述直筒型噴腔設置。

優選地，所述螺旋型噴腔為四個。

優選地，多個所述螺旋型噴腔的開口朝向各不相同。

優選地，所述進氣噴嘴鑄造成型。

優選地，所述進氣噴嘴的材質為氮化硅。

本實用新型還提供了一種多晶硅還原爐，包括爐筒、底盤以及設置在所述底盤上的進氣噴嘴，所述進氣噴嘴為上述任意一種進氣噴嘴。

從上述技術方案可以看出，本實用新型中的進氣噴嘴具有直筒型噴腔和螺旋型噴腔。從直筒型噴腔中噴出的氣體直線進入到爐筒的上部。從螺旋型噴腔中噴出的氣體會螺旋上升，氣體既有軸向的位移，也有徑向的位移，即從螺旋噴腔噴出的氣體會邊向上移動邊向徑向上擴散，從而避免了爐筒下部氣體濃度較低，確保了硅棒下部穩定地生長。另外，本實用新型將進氣噴嘴的材質優選為氮化硅，氮化硅材質的進氣噴嘴具有優良的耐磨性，因此不會被氣體沖刷變形，從而規避了部分氣體偏流而影響硅棒的生長。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的方案，下面將對實施例中描述所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型一具體實施例提供的底盤的俯視圖；

圖2為本實用新型一具體實施例提供的螺旋型型腔的結構示意圖。

其中，1為直筒型噴腔、2為螺旋型噴腔、3為底盤。

具體實施方式

本實用新型公開了一種進氣噴嘴，該進氣噴嘴能夠避免爐筒下部的氣體濃度較低，從而確保硅棒的下部穩定生長。