[實用新型]一種沉積盤

有效

• 申請號: 201922487737.1
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN211570767U
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 李洋洋;張秀全;薛海蛟;李真宇;張濤
• 申請（專利權）人: 濟南晶正電子科技有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/46
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

本申請公開一種沉積盤，所述沉積盤適用于晶圓襯底CVD沉積，所述晶圓襯底具有直線形切邊，在所述沉積盤上開設有沉積槽(1)，所述沉積槽(1)為柱形槽，所述沉積槽(1)的截面為優弧弓形，所述優弧弓形的弦長等于晶圓襯底切邊的邊長，所述沉積槽(1)的半徑等于晶圓襯底的半徑，所述沉積槽(1)的深度等于晶圓襯底的厚度，使得晶圓襯底能夠無縫契合于沉積槽中，從而在熱處理過程中晶圓襯底各處受熱均勻，從而提高CVD膜的均勻性。

技術領域

本申請屬于化工設備鄰域，特別涉及一種沉積盤。

背景技術

化學氣相沉積(CVD)是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積的技術，氣態原材料在反應室內發生化學反應，生成一種新材料，這種新材料沉積在襯底表面，形成一層薄膜，例如，氮化硅薄膜就是由硅烷與氮氣通過化學氣相沉積反應制備的。常用CVD設備包括管式CVD和板式CVD兩種類型。對于板式CVD，以氧化硅沉積為例，需要將硅襯底或者其它材質的襯底放置在沉積盤上，然后將沉積盤放置在沉積腔室內，沉積腔室的上方為化學反應區，原料氣體通過化學反應生成氧化硅顆粒，在氣壓的作用下，氧化硅顆粒會均勻地落在襯底表面。

圖1示出一種適用于晶圓襯底CVD沉積的沉積盤的結構示意圖，如圖1所示，一般來說，在沉積盤上設置有凹槽001用以放置沉積襯底，所述凹槽001的形狀和尺寸通常與沉積襯底的形狀和尺寸匹配，例如，對于晶圓襯底，沉積盤上沉積槽為圓形，在圓形凹槽一側可以設置半圓形凹槽002，以便在沉積完成后將沉積有薄膜的襯底從半圓形凹槽002內方便地取出。

通常，用于CVD沉積的晶圓襯底為商購品，所述晶圓襯底在上游廠商制備過程中由于定位需要通常會存在一個小的切邊，所謂切邊即在所述晶圓襯底上切除一部分弓形，以方便晶圓襯底在半導體各工藝加工過程中對齊。

在CVD沉積過程中，通常將沉積盤放置于一個加熱裝置上，加熱裝置加熱沉積盤，進而加熱晶圓襯底，圓形沉積槽在實際的沉積過程中，具有切邊的晶圓襯底側壁的大部分區域直接與沉積槽側壁接觸，但是切邊處卻與沉積槽側壁分離，并存在空氣間隙，導致晶圓襯底在切邊處氣壓與其余位置的氣壓不一致；而且，在切邊處受熱程度也與其余位置不一致，導致晶圓襯底整體所受氣壓以及溫度不均勻。由于CVD沉積膜的厚度與晶圓襯底所受氣壓以及溫度直接相關，因此，晶圓襯底所受氣壓以及溫度不均勻直接導致所沉積CVD膜的均勻性降低，通常表現為在切邊處CVD沉積膜較厚。

實用新型內容

為解決切邊晶圓襯底通過CVD氣相沉積方法所制備的薄膜均勻差的問題，本申請的目的是提供一種能夠在具有切邊晶圓襯底上制備均勻薄膜的沉積盤。

為實現上述目的本申請提供過以下方案：

一種沉積盤，所述沉積盤適用于晶圓襯底CVD沉積，所述晶圓襯底具有直線形切邊，在所述沉積盤上開設有沉積槽1，所述沉積槽1為柱形槽，所述沉積槽1的截面為優弧弓形，所述優弧弓形的弦長等于晶圓襯底切邊的邊長，所述沉積槽1的半徑等于晶圓襯底的半徑，所述沉積槽1的深度等于晶圓襯底的厚度。

本申請提供的沉積盤適用于晶圓襯底的CVD沉積，所述沉積槽1橫截面形狀與晶圓襯底的形狀匹配，并且所述沉積槽1的尺寸與晶圓襯底尺寸相同，使得在沉積過程中晶圓襯底上表面所受到的氣壓均勻，并且，所述晶圓襯底側壁由沉積槽1側壁傳導來的熱量也均勻，從而在氣相沉積的過程中用于形成薄膜的微粒能夠均勻地沉積于晶圓襯底表面，進而提高CVD沉積所得薄膜厚度的均勻度。

在一種可實現的方式中，所述沉積槽1的深度為0.2～1mm。由于晶圓襯底的厚度一般為0.2～1mm，因此，將沉積槽1的深度設置為0.2～1mm能夠使襯底晶圓襯底完全嵌入沉積槽1中，使晶圓襯底在熱處理過程中受熱均勻。

在一種可實現的方式中，所述沉積盤的厚度為所述沉積槽1深度的3～8倍，從而使嵌入沉積槽1的晶圓襯底底面與側壁受熱均勻。