[實用新型]一種沉積盤

有效

• 申請號: 201922487737.1
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN211570767U
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 李洋洋;張秀全;薛海蛟;李真宇;張濤
• 申請（專利權）人: 濟南晶正電子科技有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/46
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種沉積盤，其特征在于，所述沉積盤適用于晶圓襯底CVD沉積，所述晶圓襯底具有直線形的切邊，在所述沉積盤上開設有沉積槽(1)，所述沉積槽(1)為柱形槽，所述沉積槽(1)的截面為優弧弓形，所述優弧弓形的弦長等于晶圓襯底切邊的邊長，所述沉積槽(1)的半徑等于晶圓襯底的半徑，所述沉積槽(1)的深度等于晶圓襯底的厚度。

2.根據權利要求1所述的沉積盤，其特征在于，所述沉積槽(1)的深度為0.2～1mm。

3.根據權利要求1所述的沉積盤，其特征在于，所述沉積盤的厚度為所述沉積槽(1)深度的3～8倍。

4.根據權利要求1所述的沉積盤，其特征在于，所述沉積盤上設置有多個沉積槽(1)，任意兩個相鄰沉積槽(1)的圓心距與沉積槽(1)直徑之差大于1mm。

5.根據權利要求4所述的沉積盤，其特征在于，至少有兩個沉積槽(1)的直徑不同。

6.根據權利要求4所述的沉積盤，其特征在于，至少有兩個沉積槽(1)的深度不同。

7.根據權利要求1所述的沉積盤，其特征在于，所述沉積盤(3)由導熱系數為80～300W/mK的材料制造。

8.根據權利要求7所述的沉積盤，其特征在于，所述導熱系數為80～300W/mK的材料包括石墨、鋁或者碳化硅。

9.根據權利要求1所述的沉積盤，其特征在于，由所述沉積槽(1)的頂面向所述沉積槽(1)的側壁上開設有取樣槽(2)，所述取樣槽(2)伸至所述沉積槽(1)的底端。

10.根據權利要求9所述的沉積盤，其特征在于，所述取樣槽(2)為錐形槽，所述取樣槽(2)的最大寬度小于4mm。