[實用新型]一種平面VDMOS器件有效
| 申請號： | 201922486621.6 | 申請日： | 2019-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN211455694U | 公開（公告）日： | 2020-09-08 |
| 發明（設計）人： | 馬榮耀;王代利;劉中旺;冷靜;張鵬程;檀春健 | 申請（專利權）人： | 華潤微電子（重慶）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 401331 重慶市*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 平面 vdmos 器件 | ||
1.一種平面VDMOS器件，其特征在于，至少包括；
一半導體襯底，所述半導體襯底包括一半導體基底以及位于所述半導體基底之上的外延層；
位于所述外延層上表面的柵多晶硅，所述柵多晶硅與所述外延層之間設有柵氧化層，所述柵多晶硅包括位于所述柵多晶硅中間的中間柵以及圍繞所述中間柵的邊部柵，所述中間柵與所述邊部柵之間填充有氧化層，所述中間柵與圍繞所述中間柵的氧化層構成懸浮柵；
包覆所述柵多晶硅的絕緣介質層，用于絕緣隔離；
位于所述外延層上表面，且與所述柵多晶硅間隔分布的連接層；
位于所述外延層中的體區，所述體區位于所述連接層下部并延伸至所述邊部柵的下部；
位于所述體區中的源區，設置于所述連接層下部的兩側并延伸至所述邊部柵的下部；以及
與所述連接層連接的金屬層。
2.根據權利要求1所述的平面VDMOS器件，其特征在于，所述中間柵與邊部柵之間的距離小于0.3μm。
3.根據權利要求1所述的平面VDMOS器件，其特征在于，所述氧化層的填充厚度大于所述中間柵與所述邊部柵之間的距離的二分之一。
4.根據權利要求1所述的平面VDMOS器件，其特征在于，所述中間柵與所述柵多晶硅的寬度比值介于0.1～1之間。
5.根據權利要求1所述的平面VDMOS器件，其特征在于，所述懸浮柵沿溝道寬度方向延伸。
6.根據權利要求1所述的平面VDMOS器件，其特征在于，至少兩個懸浮柵沿溝道寬度方向排布。
7.根據權利要求6所述的平面VDMOS器件，其特征在于，所述懸浮柵之間的距離與所述中間柵的長度比值為1～9。
8.根據權利要求6所述的平面VDMOS器件，其特征在于，所述懸浮柵之間的距離與所述中間柵的長度比值為0.1～0.9。
9.根據權利要求1～8任一項所述的平面VDMOS器件，其特征在于，所述半導體襯底的結構為重摻雜N+型襯底基板以及位于重摻雜N+型襯底基板之上的輕摻雜N型外延層。
10.根據權利要求1～8任一項所述的平面VDMOS器件，其特征在于，所述體區的摻雜類型為P型，所述源區的摻雜類型為N型。
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