[實用新型]一種氣相沉積爐

有效

• 申請號: 201922484193.3
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN211595793U
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 馬付根;江南;宋茜茜
• 申請（專利權）人: 寧波晨鑫維克工業科技有限公司;安徽晨鑫維克工業科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種氣相沉積爐，解決了現階段的氣相沉積爐的沉積質量有待提高的問題。其技術方案要點是一種氣相沉積爐包括加熱爐體和料架；加熱爐體具有反應空腔，加熱爐體內設有布氣管道，布氣管道的中部還設有將布氣管道的通道隔斷的隔板，布氣管道的兩端均設有為布氣管道供氣的進氣管道；加熱爐體的兩端設有與反應空腔連通的排氣管道、控制排氣管道開閉的排氣閥，氣相沉積爐還設有與排氣管道連接的真空泵；料架包括旋轉軸和安裝于旋轉軸的轉筒；加熱爐體還設有驅動轉筒旋轉的驅動電機，加熱爐體還設有旋轉支撐于旋轉軸兩端的支撐組件，所述氣相沉積爐中在反應過程中反應空腔內的反應氣體較為均勻，提升了纖維材料表面的沉積層的質量。

技術領域

本實用新型涉及一種氣相沉積爐。

背景技術

氣相沉積法（CVD）是指化學氣體或者蒸汽在基質表面反應合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。而氣相沉積爐是氣相沉積法不可或缺的設備。

參閱附圖10，現階段的一種氣相沉積爐，包括加熱爐體1’、安裝于加熱爐體1’內腔的料架2’，加熱爐體1’具有供料架2’安裝的反應空腔11’，加熱爐體1’在反應空腔11’內沿反應空腔11’的長度方向布置有布氣管道12’以及與布氣管道12’連接的進氣管道13’，加熱爐體1’還設有與反應空腔11’連通的排氣管道17’和與排氣管道17’連接的真空泵4’。

在需要對纖維材料進行表面氣相沉積時，將纖維材料纏繞于料架2’后置于反應空腔11’內，之后通過進氣管道13’向反應空腔11’內填充反應氣體，并且通過真空泵4’和排氣管道17’平衡反應空腔11’內的氣壓，使得進氣管道13’能夠持續向反應空腔11’內注入反應氣體。

上述氣相沉積爐僅通過布氣管道12’向反應空腔內注入反應氣體，但是反應氣體在反應空腔11’內的分布并不均勻，影響纖維材料的表面的沉積層的質量。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種氣相沉積爐，所述氣相沉積爐中在反應過程中反應空腔內的反應氣體較為均勻，提升了纖維材料表面的沉積層的質量。

本實用新型的上述技術目的是通過以下技術方案得以實現的：

一種氣相沉積爐，包括加熱爐體和料架；所述加熱爐體具有供料架放置的反應空腔，所述加熱爐體內設有布氣管道，所述布氣管道的中部還設有將布氣管道的通道隔斷的隔板，所述布氣管道的兩端均設有為布氣管道供氣的進氣管道；所述加熱爐體的兩端設有與反應空腔連通的排氣管道、控制排氣管道開閉的排氣閥，所述氣相沉積爐還設有與排氣管道連接的真空泵；所述料架包括旋轉軸和安裝于旋轉軸的轉筒；所述加熱爐體還設有驅動所述轉筒旋轉的驅動電機，所述加熱爐體還設有旋轉支撐于所述旋轉軸兩端的支撐組件。

通過采用上述技術方案，由于布氣管道設置在反應空腔內的一側，則使得反應空腔內的反應氣體的濃度的分布并不均勻，本申請中的氣相沉積爐通過旋轉料架的方式，使得反應空腔內的反應氣體均勻起來。

布氣管道通過隔板分隔形成兩個部分，且加熱爐體的兩端設有兩個排氣通道，使得布氣管道有且僅有一個部分進行進氣，并將靠近布氣管道進氣部分的排氣閥關閉，使得反應氣體需要通過整個反應空腔后才能夠從排氣管道排出，有助于反應氣體在反應空腔內的流通，并均勻反應空腔內的反應氣體的布置；同時能夠通過更換布氣管道的進氣部分，進一步提升反應空腔內的反應氣體的均布，從而有助于提升纖維材料表面的沉積層的質量。

本實用新型進一步設置為，所述加熱爐體在遠離所述驅動電機的一端還設有供所述料架進入所述反應空腔的爐口以及將所述爐口蓋合的爐門；所述旋轉軸具有貫穿其兩端的插孔；所述氣相沉積爐還設有取放料架的取料裝置；所述取料裝置包括取料小車和供取料小車滑移的導軌；所述取料小車具有與旋轉軸的插孔配合的插柱；所述驅動電機的輸出軸和所述旋轉軸的端部通過卡接組件可拆卸配合。