[實用新型]晶圓級SIP模組結構

有效

• 申請號: 201922471799.3
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN211088268U
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發明（設計）人: 吳政達;陳彥亨;林正忠
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 施婷婷

本實用新型提供一種晶圓級SIP模組結構，包括：第一塑封層；導電柱，位于第一塑封層內；芯片，位于第一塑封層內；重新布線層，位于第一塑封層的上表面，且與導電柱及芯片電連接；第二塑封層，位于重新布線層的上表面；連接器，位于重新布線層的上表面，且位于第二塑封層內；連接器與重新布線層電連接；焊料凸塊，位于第一塑封層的下表面，且與導電柱電連接。本實用新型的晶圓級SIP模組結構可以實現正面晶圓作業工藝，均勻性較好；正反兩面導通工序簡單，可以根據實際需要設定不同尺寸的導電柱；導電柱之間的間隙較小，集成度高；重新布線層可以為多層堆疊結構，可以根據實際需要調整重新布線層中金屬線層的層數及厚度。

技術領域

本實用新型屬于半導體封裝技術領域，特別是涉及一種晶圓級SIP模組結構。

背景技術

在半導體行業中，系統級封裝(SIP，System In Package)模組主要是將多種功能芯片集成在一個封裝內，達到功能整合的目的。

現有的系統級封裝模組存在正反兩面導通的工序復雜、實現度低、封裝結構厚度較大、尺寸較大等問題。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種晶圓級SIP模組結構，用于解決現有技術中的晶圓級SIP模組結構存在正反兩面導通的工序復雜、實現度低、封裝結構厚度較大、尺寸較大等問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種晶圓級SIP模組結構的制備方法，所述晶圓級SIP模組結構的制備方法包括如下步驟：

提供襯底；

于所述襯底上形成導電柱；

提供芯片，將所述芯片貼置于所述襯底上；

于所述襯底上形成第一塑封層，所述第一塑封層將所述導電柱及所述芯片塑封；

于所述第一塑封層的上表面形成重新布線層，所述重新布線層與所述導電柱及所述芯片電連接；

提供連接器，將所述連接器貼置于所述重新布線層的上表面，所述連接器與所述重新布線層電連接；

于所述重新布線層的上表面形成第二塑封層，所述第二塑封層將所述連接器封裹塑封；

去除所述襯底；及

于所述第一塑封層的下方形成焊料凸塊，所述焊料凸塊與所述導電柱電連接。

可選地，于所述襯底上形成所述導電柱之前還包括如下步驟：

于所述襯底的上表面形成剝離層；

于所述剝離層的上表面形成底層介質層；及

于所述底層介質層的上表面形成種子層；

所述導電柱形成于所述種子層的上表面。

可選地，于所述襯底上形成所述導電柱包括如下步驟：

于所述種子層的上表面形成掩膜層；

對所述掩膜層進行圖形化處理，以得到圖形化掩膜層，所述圖形化掩膜層內形成有開口圖形，所述開口圖形暴露出所述種子層且定義出所述導電柱的位置及形狀；

于所述開口圖形內形成所述導電柱；

去除所述圖形化掩膜層，并去除暴露出的所述種子層。

可選地，將所述芯片貼置于所述襯底上之后且形成所述第一塑封層之前還包括于所述芯片的上表面形成芯片引出結構；所述芯片經由所述芯片引出結構與所述重新布線層電連接：所述第一塑封層將所述導電柱、所述芯片及所述芯片引出結構塑封。

可選地，將所述連接器貼置于所述重新布線層的上表面包括如下步驟：