[實用新型]晶圓級SIP模組結構有效
| 申請號： | 201922471799.3 | 申請日： | 2019-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN211088268U | 公開（公告）日： | 2020-07-24 |
| 發明（設計）人： | 吳政達;陳彥亨;林正忠 | 申請（專利權）人： | 中芯長電半導體（江陰）有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/16 | 分類號： | H01L25/16;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 施婷婷 |
| 地址： | 214437 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓級 sip 模組 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶圓級SIP模組結構，其特征在于，包括：
第一塑封層；
導電柱，位于所述第一塑封層內；
芯片，位于所述第一塑封層內；
重新布線層，位于所述第一塑封層的上表面，且與所述導電柱及所述芯片電連接；
第二塑封層，位于所述重新布線層的上表面；
連接器，位于所述重新布線層的上表面，且位于所述第二塑封層內；所述連接器與所述重新布線層電連接；及
焊料凸塊，位于所述第一塑封層的下表面，且與所述導電柱電連接。
2.根據權利要求1所述的晶圓級SIP模組結構，其特征在于，所述晶圓級SIP模組結構還包括：
種子層，位于所述第一塑封層內，且位于所述導電柱的下表面；
底層介質層，位于所述第一塑封層的下表面，所述底層介質層內形成有開口，所述開口暴露出所述種子層；所述焊料凸塊位于所述開口內，且經由所述種子層與所述導電柱電連接。
3.根據權利要求1所述的晶圓級SIP模組結構，其特征在于，所述晶圓級SIP模組結構還包括芯片引出結構，所述芯片引出結構位于所述第一塑封層內，且位于所述芯片的上表面；所述芯片經由所述芯片引出結構與所述重新布線層電連接。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的晶圓級SIP模組結構，其特征在于，所述晶圓級SIP模組結構還包括屏蔽層，所述屏蔽層包覆所述第二塑封層的上表面及側壁、所述重新布線層的側壁及所述第一塑封層的側壁。
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