[實(shí)用新型]流體供給裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922437315.3
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN210925964U
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金東旻
• 申請（專利權(quán)）人: 凱斯科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京冠和權(quán)律師事務(wù)所 11399
• 代理人: 陳國軍

本實(shí)用新型涉及一種流體供給裝置，涉及一種用于將一定溫度的流體供給至腔室的流體供給裝置。本實(shí)用新型的流體供給裝置包括：供給管路，其供向腔室供給的流體流動；至少一個旁通管路，其從所述供給管路的第一分支部分支出來，重新連接至所述供給管路的第二分支部；加熱裝置，其對在所述旁通管路上流動的所述流體進(jìn)行加熱。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種流體供給裝置，涉及一種用于將一定溫度的流體供給至腔室的流體供給裝置。

背景技術(shù)

最近，隨著信息通信領(lǐng)域的極速發(fā)展和類似計(jì)算機(jī)的信息媒體的大眾化，半導(dǎo)體裝置也正在飛躍發(fā)展。此外，在其功能方面，隨著半導(dǎo)體裝置的元件高集成化傾向，為了縮小形成于基板的個別元件的大小的同時極大化元件性能，正在研究開發(fā)各種方法。

通常，通過反復(fù)進(jìn)行平版印刷(Lithography)、蒸鍍(Deposition)及蝕刻(Etching)、涂覆(Coating)光刻膠(Photoresist)、顯影(Develop)、清洗及干燥工藝等多個基板處理而制造半導(dǎo)體元件。

各個工藝通過利用適合于各自目的的工藝流體來實(shí)現(xiàn)，每個工藝需要一個合適的工藝環(huán)境。

通常，各個工藝通過將基板收容于形成相應(yīng)工藝環(huán)境的腔室或者槽中而實(shí)現(xiàn)，為了防止外部顆粒的流入，可通過將基板收容于密封的腔室內(nèi)部而實(shí)現(xiàn)。

在執(zhí)行各個工藝的基板上會殘存金屬雜質(zhì)、有機(jī)物等顆粒，如上所述的污染物質(zhì)會導(dǎo)致基板的工藝不良，對產(chǎn)品的收率及可靠性產(chǎn)生不利影響。

由此，為了去除顆粒，每當(dāng)完成一個工藝時反復(fù)執(zhí)行的清洗及干燥工藝非常重要。

清洗可分為濕式清洗和干式清洗，其中，濕式清洗廣泛用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。

濕式清洗是每個步驟利用適合于污染物質(zhì)的化學(xué)物質(zhì)連續(xù)去除污染物質(zhì)的方式，利用大量酸性和堿性溶液等來去除殘留在基板的污染物質(zhì)。

干燥工藝中經(jīng)常利用超臨界流體。尤其，近來半導(dǎo)體元件的設(shè)計(jì)規(guī)則(designrule)持續(xù)減小，以微細(xì)結(jié)構(gòu)圖案為主的同時，急劇增加圖案的縱橫比(AspectRatio)，從而當(dāng)蝕刻或者清洗等濕式工藝完成之后，作為在干燥藥液的過程中產(chǎn)生的圖案傾斜(Pattern leaning)現(xiàn)象的解決方法，利用超臨界流體。

當(dāng)超過稱為臨界點(diǎn)(critical point)的一定高溫高壓的界限時，物質(zhì)成為無法區(qū)分氣體和液體的狀態(tài)，即超臨界狀態(tài)，將處于該狀態(tài)的物質(zhì)稱為超臨界流體。

超臨界流體具有分子的密度變化大的特征。雖然分子的密度接近液體，但是因?yàn)檎承远鹊停越咏鼩怏w。此外，像氣體一樣快速擴(kuò)散，從而導(dǎo)熱性像水一樣高，但是像液體一樣用作溶劑，從而具有溶質(zhì)周邊的溶劑濃度極其變高的特異性質(zhì)，不受表面張力的影響。由此，超臨界流體對于化學(xué)反應(yīng)非常有用，從混合物中提取和分離特定成分的性質(zhì)很強(qiáng)，從而用于各種領(lǐng)域，尤其，臨界溫度相對接近常溫且屬于非極性物質(zhì)的超臨界二氧化碳的利用率高。

由此，正在活躍地進(jìn)行針對流體供給裝置的研究，為了將流體以超臨界狀態(tài)供給于基板處理用腔室，流體供給裝置將在供給管路上流動的流體的溫度保持在適當(dāng)溫度，即臨界溫度以上的溫度。

參照圖1，對通過現(xiàn)有技術(shù)將流體供給于基板處理用腔室的流體供給裝置進(jìn)行說明。

根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的流體供給裝置包括：流體罐10，其臨時存儲向基板處理用腔室30供給的流體；供給管路20，其連接所述腔室30和所述流體罐10，在所述流體罐10設(shè)置有加熱所述流體罐10內(nèi)部的所述流體的流體罐加熱器11，在所述供給管路20上設(shè)置有供給管路加熱器21和供給管路泵22，供給管路加熱器21加熱在所述供給管路20上流動的所述流體，供給管路泵22使得流體朝向所述腔室30流動。

所述流體罐10供氣體或者液體狀態(tài)的二氧化碳流入并存儲，所述二氧化碳被流體罐加熱器11加熱后成為超臨界狀態(tài)。