[實用新型]流體供給裝置有效
| 申請號: | 201922437315.3 | 申請日: | 2019-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN210925964U | 公開(公告)日: | 2020-07-03 |
| 發明(設計)人: | 金東旻 | 申請(專利權)人: | 凱斯科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京冠和權律師事務所 11399 | 代理人: | 陳國軍 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 流體 供給 裝置 | ||
1.一種流體供給裝置,其包括:
供給管路,其供向腔室供給的流體流動;
至少一個旁通管路,其從所述供給管路的第一分支部分支出來,重新連接至所述供給管路的第二分支部;以及
加熱裝置,其對在所述旁通管路上流動的所述流體進行加熱。
2.根據權利要求1所述的流體供給裝置,其特征在于,包括:
溫度測量部,其對在所述供給管路上流動的流體的溫度進行測量。
3.根據權利要求2所述的流體供給裝置,其特征在于,所述溫度測量部包括:
第一測量部,其對向所述第一分支部流動的所述流體的溫度進行測量。
4.根據權利要求2所述的流體供給裝置,其特征在于,所述溫度測量部包括:
第二測量部,其對從所述第二分支部向所述腔室流動的所述流體的溫度進行測量。
5.根據權利要求3所述的流體供給裝置,其特征在于,
在所述第一分支部還包括流路轉換部,流路轉換部轉換所述流體的流路,以便所述流體選擇性地在所述供給管路或者所述旁通管路上流動。
6.根據權利要求5所述的流體供給裝置,其特征在于,所述流路轉換部包括:
供給閥,其開閉所述供給管路;
旁通閥,其開閉所述旁通管路。
7.根據權利要求5所述的流體供給裝置,其特征在于,
所述流路轉換部是轉換流體的流路的三通閥,以便選擇性地開放所述供給管路和所述旁通管路中的任意一個管路并關閉剩下的一個管路。
8.根據權利要求5所述的流體供給裝置,其特征在于,包括:
控制部,其控制所述流路轉換部。
9.根據權利要求8所述的流體供給裝置,其特征在于,
所述控制部構成為根據所述第一測量部測量的所述流體的第一溫度測量值來控制所述流路轉換部。
10.根據權利要求9所述的流體供給裝置,其中,
當所述第一溫度測量值為已設定的第一設定值以上時,所述控制部通過控制所述流路轉換部而打開所述供給管路并關閉所述旁通管路;
當所述第一溫度測量值為所述第一設定值以下時,所述控制部通過控制所述流路轉換部而關閉所述供給管路并打開所述旁通管路。
11.根據權利要求10所述的流體供給裝置,其特征在于,
所述第一分支部形成于所述第二分支部的后端,通過所述第一分支部流入至所述旁通管路的所述流體通過所述第二分支部再次流入所述供給管路并向所述第一分支部流動,由此形成循環流路;
所述控制部通過控制所述流路轉換部而直到所述第一溫度測量值滿足所述第一設定值以上的溫度為止保持所述供給管路關閉且所述旁通管路打開的狀態,從而使得所述流體沿著所述循環流路循環,并再次加熱所述流體。
12.根據權利要求10所述的流體供給裝置,其特征在于,
所述溫度測量部包括第二測量部,第二測量部對從所述第二分支部向所述腔室流動的所述流體的溫度進行測量;
所述控制部構成為通過比較所述第二測量部測量的所述流體的第二溫度測量值和已設定的第二設定值而調整所述加熱裝置的加熱溫度。
13.根據權利要求12所述的流體供給裝置,其特征在于,
所述第一設定值設定為比所述第二設定值高的溫度。
14.根據權利要求12所述的流體供給裝置,其特征在于,
當所述第二溫度測量值為已設定的第二設定值以下時,所述控制部構成為將所述加熱裝置的加熱溫度調整為更高的溫度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





