[實用新型]一種硅片腐蝕過程中化學液溫度恒溫控制系統有效
| 申請號: | 201922431204.1 | 申請日: | 2019-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN210897217U | 公開(公告)日: | 2020-06-30 |
| 發明(設計)人: | 王海君;代玉超;李魯 | 申請(專利權)人: | 麥斯克電子材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司: | 洛陽公信知識產權事務所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 陳佳麗 |
| 地址: | 471000 河南省洛*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 腐蝕 過程 化學 溫度 恒溫 控制系統 | ||
1.一種硅片腐蝕過程中化學液溫度恒溫控制系統,其特征在于:包括恒溫槽(1)、腐蝕槽(2)、熱水槽(4)以及冷水槽(3),腐蝕槽(2)所在位置高于恒溫槽(1),恒溫槽(1)和腐蝕槽(2)之間通過2根管道連通,其中一根管道上設有化學液泵(5),用于從恒溫槽(1)向腐蝕槽(2)輸送化學液,另一根管道用于腐蝕槽(2)內的化學液依靠重力流回恒溫槽(1),恒溫槽(1)內設有溫度調節管(8),冷水槽(3)的進水管和回水管分別與溫度調節管(8)的進水口和出水口連接,熱水槽(4)的進水管和回水管分別與溫度調節管(8)的進水口和出水口連接,冷水槽(3)的進水管和回水管上分別安裝冷水閥A(9)和冷水閥B(10),熱水槽(4)的進水管和回水管上分別安裝熱水閥A(11)和熱水閥B(12)。
2.根據權利要求 1所述的一種硅片腐蝕過程中化學液溫度恒溫控制系統,其特征在于:所述恒溫槽(1)的容積為400L。
3.根據權利要求1所述的一種硅片腐蝕過程中化學液溫度恒溫控制系統,其特征在于:所述冷水槽(3)的進水管上安裝冷水泵(6),熱水槽(4)的進水管上安裝熱水泵(7)。
4.根據權利要求1所述的一種硅片腐蝕過程中化學液溫度恒溫控制系統,其特征在于:所述溫度調節管(8)為PFA軟管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





