[實用新型]一種承載晶圓的升降裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201922421190.5 | 申請日: | 2019-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN211578720U | 公開(公告)日: | 2020-09-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 汪新學(xué);陶智昆 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯集成電路(寧波)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京思創(chuàng)大成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11614 | 代理人: | 張立君 |
| 地址: | 315800 浙江省寧波市北*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 承載 升降 裝置 | ||
本實用新型公開了一種承載晶圓的升降裝置,包括:升降臺,用于承載晶圓,可上下移動,升降臺上設(shè)有貫穿升降臺的至少一第一通孔和至少一第二通孔,至少一第一通孔圍成環(huán)形,環(huán)形內(nèi)部能夠容納水平放置的晶圓,至少一第二通孔位于環(huán)形內(nèi)部;第一晶圓支撐件,位于升降臺的上表面、環(huán)形內(nèi)部;第二晶圓支撐件,通過第二通孔貫穿升降臺,且升降臺能夠沿第二晶圓支撐件上下移動;當(dāng)升降臺降落時,晶圓由第二晶圓支撐件支撐;當(dāng)升降臺升起時,晶圓由第一晶圓支撐件支撐;限位結(jié)構(gòu),通過第一通孔貫穿升降臺,且限位結(jié)構(gòu)的上表面高于第二晶圓支撐件的上表面,升降臺能夠沿限位結(jié)構(gòu)上下移動,限位結(jié)構(gòu)環(huán)繞于晶圓的外周,用于限制晶圓的水平移動。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域,尤其涉及一種承載晶圓的升降裝置。
背景技術(shù)
晶圓滴膠校準(zhǔn)裝置,包括滴膠器和校準(zhǔn)臺,主要用來在工藝晶圓上表面噴滴準(zhǔn)確重量的樹脂膠,樹脂膠的粘性比較大,滴膠器在進行滴膠的時候,有上下拉動的動作,當(dāng)膠粘性的拉力大于晶圓的重力時,晶圓被微微拉起,在晶圓回落的過程中,晶圓存在水平移位的現(xiàn)象。參考圖1,為一實例中晶圓滴膠校準(zhǔn)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖,晶圓2發(fā)生了向右側(cè)的偏移,偏移量L如晶圓2左側(cè)的虛線框所示。
因此,如何防止晶圓在滴膠的過程中發(fā)生水平移動,是目前面臨的主要問題。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種承載晶圓的升降裝置,能夠解決晶圓在滴膠的過程中被膠拉起及回落的過程中產(chǎn)生水平移動的問題。
為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供了一種承載晶圓的升降裝置,包括:
升降臺,用于承載晶圓,可上下移動,所述升降臺上設(shè)有貫穿所述升降臺的至少一第一通孔和至少一第二通孔,所述至少一第一通孔圍成環(huán)形,所述環(huán)形內(nèi)部能夠容納水平放置的一片晶圓,所述至少一第二通孔位于所述環(huán)形內(nèi)部;
第一晶圓支撐件,位于所述升降臺的上表面、所述環(huán)形內(nèi)部;
第二晶圓支撐件,通過所述第二通孔貫穿所述升降臺,且所述升降臺能夠沿所述第二晶圓支撐件上下移動;
當(dāng)所述升降臺降落時,所述第一晶圓支撐件的上表面高于所述第二晶圓支撐件的上表面,所述晶圓由所述第一晶圓支撐件支撐;
當(dāng)所述升降臺升起時,所述第一晶圓支撐件的上表面低于所述第二晶圓支撐件的上表面,所述晶圓由所述第二晶圓支撐件支撐;
限位結(jié)構(gòu),通過所述第一通孔貫穿所述升降臺,且所述限位結(jié)構(gòu)的上表面高于所述第二晶圓支撐件的上表面,所述升降臺能夠沿所述限位結(jié)構(gòu)上下移動,所述限位結(jié)構(gòu)環(huán)繞于所述晶圓的外周,用于限制所述晶圓的水平移動。
本方法的有益效果在于,在晶圓的外周設(shè)置限制晶圓水平移動的限位結(jié)構(gòu),升降臺在升降的過程中,限位結(jié)構(gòu)的頂面始終高于第二晶圓支撐件的頂面,保證晶圓的外緣在滴膠的過程中始終被限位結(jié)構(gòu)包圍,以限制晶圓在水平方向上的移動。
進一步地,在限位結(jié)構(gòu)的外周設(shè)置非剛性材料的保護套,一方面保護限位結(jié)構(gòu),另一方面限位結(jié)構(gòu)不與晶圓直接接觸,避免晶圓與限位結(jié)構(gòu)相接觸時,晶圓產(chǎn)生破裂的風(fēng)險。
附圖說明
通過結(jié)合附圖對本實用新型示例性實施例進行更詳細(xì)的描述,本實用新型的上述以及其它目的、特征和優(yōu)勢將變得更加明顯,在本實用新型示例性實施例中,相同的參考標(biāo)號通常代表相同部件。
圖1示出了一實例中一種承載晶圓的升降裝置的示意圖。
圖2示出了根據(jù)本實用新型一實施例的一種承載晶圓的升降裝置的側(cè)視圖。
圖3為圖2的俯視圖。
附圖標(biāo)記說明:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯集成電路(寧波)有限公司,未經(jīng)中芯集成電路(寧波)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201922421190.5/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





