[實用新型]一種承載晶圓的升降裝置有效
| 申請號: | 201922421190.5 | 申請日: | 2019-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN211578720U | 公開(公告)日: | 2020-09-25 |
| 發明(設計)人: | 汪新學;陶智昆 | 申請(專利權)人: | 中芯集成電路(寧波)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京思創大成知識產權代理有限公司 11614 | 代理人: | 張立君 |
| 地址: | 315800 浙江省寧波市北*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 承載 升降 裝置 | ||
1.一種承載晶圓的升降裝置,其特征在于,包括:
升降臺,用于承載晶圓,可上下移動,所述升降臺上設有貫穿所述升降臺的至少一第一通孔和至少一第二通孔,所述至少一第一通孔圍成環形,所述環形內部能夠容納水平放置的晶圓,所述至少一第二通孔位于所述環形內部;
第一晶圓支撐件,位于所述升降臺的上表面、所述環形內部;
第二晶圓支撐件,通過所述第二通孔貫穿所述升降臺,且所述升降臺能夠沿所述第二晶圓支撐件上下移動;
當所述升降臺降落時,所述第一晶圓支撐件的上表面低于所述第二晶圓支撐件的上表面,所述晶圓由所述第二晶圓支撐件支撐;
當所述升降臺升起時,所述第一晶圓支撐件的上表面高于所述第二晶圓支撐件的上表面,所述晶圓由所述第一晶圓支撐件支撐;
限位結構,通過所述第一通孔貫穿所述升降臺,且所述限位結構的上表面高于所述第二晶圓支撐件的上表面,所述升降臺能夠沿所述限位結構上下移動,所述限位結構環繞于所述晶圓的外周,用于限制所述晶圓的水平移動。
2.根據權利要求1所述的承載晶圓的升降裝置,其特征在于,所述第一通孔為多個,多個所述第一通孔相對于所述環形的中心對稱分布。
3.根據權利要求2所述的承載晶圓的升降裝置,其特征在于,所述限位結構包括多個支柱,每個所述支柱從一個所述第一通孔伸出。
4.根據權利要求1所述的承載晶圓的升降裝置,其特征在于,所述第一通孔為環形通孔,所述限位結構為貫穿所述環形通孔的圍墻。
5.根據權利要求4所述的承載晶圓的升降裝置,其特征在于,所述圍墻設有缺口,所述缺口的寬度大于承載晶圓的機械手的寬度。
6.根據權利要求1所述的承載晶圓的升降裝置,其特征在于,還包括:保護套,位于所述升降臺的表面,套設于所述限位結構的外周。
7.根據權利要求1所述的承載晶圓的升降裝置,其特征在于,所述第一晶圓支撐件包括多個分散設置的第一柱體,且多個所述第一柱體的上表面齊平。
8.根據權利要求7所述的承載晶圓的升降裝置,其特征在于,其中兩個所述第一柱體之間的距離大于承載晶圓的機械手的寬度。
9.根據權利要求7所述的承載晶圓的升降裝置,其特征在于,所述第二晶圓支撐件包括多個分散設置的第二柱體,且多個所述第二柱體的上表面齊平。
10.根據權利要求9所述的承載晶圓的升降裝置,其特征在于,所述第一柱體環繞所述第二柱體。
11.根據權利要求9所述的承載晶圓的升降裝置,其特征在于,多個所述第一柱體之間對稱分布,和/或多個所述第二柱體之間對稱分布。
12.根據權利要求1所述的承載晶圓的升降裝置,其特征在于,還包括支撐平臺,位于所述升降臺下方,所述支撐平臺的上表面與所述升降臺的下表面之間設有伸縮部件,所述升降臺通過所述伸縮部件上下運動。
13.根據權利要求12所述的承載晶圓的升降裝置,其特征在于,所述限位結構的下端固定于所述支撐平臺上。
14.根據權利要求12所述的承載晶圓的升降裝置,其特征在于,所述支撐平臺設有容置空間,所述容置空間內設有電子秤,所述第二晶圓支撐件的下端固定于所述電子秤上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





