[實用新型]一種集成電阻倒裝LED芯片有效
| 申請號： | 201922397442.5 | 申請日： | 2019-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN210778649U | 公開（公告）日： | 2020-06-16 |
| 發明（設計）人： | 常文斌 | 申請（專利權）人： | 無錫新仕嘉半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京智客聯合知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11700 | 代理人： | 楊群 |
| 地址： | 214000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 集成 電阻 倒裝 led 芯片 | ||
1.一種集成電阻倒裝LED芯片，其特征在于：包括藍寶石襯底(1)，所述藍寶石襯底(1)上設置有氮化鎵外延層，所述氮化鎵外延層上設置P型電極(6)和N型電極(8)，所述氮化鎵外延層的外壁上設置有一層絕緣介質(5)，所述P型電極(6)和所述N型電極(8)均延伸至所述絕緣介質(5)外側；
所述P型電極(6)包括第一層P型金屬電極(601)和第二層P型金屬電極(602)，所述第一層P型金屬電極(601)和所述第二層P型金屬電極(602)之間設置有P型電阻層(7)，所述P型電阻層(7)包裹在所述第一層P型金屬電極(601)露出所述絕緣介質(5)的外壁上；
所述N型電極(8)包括第一層N型金屬電極(801)和第二層N型金屬電極(802)，所述第一層N型金屬電極(801)和所述第二層N型金屬電極(802)之間設置有N型電阻層(9)，所述N型電阻層(9)包裹在所述第一層N型金屬電極(801)露出所述絕緣介質(5)的外壁上。
2.根據權利要求1所述的一種集成電阻倒裝LED芯片，其特征在于：所述氮化鎵外延層包括依次設置的氮化鎵外延N型層(2)、氮化鎵外延發光層(3)、氮化鎵外延P型層(4)，所述氮化鎵外延N型層(2)與所述藍寶石襯底(1)緊密接觸連接。
3.根據權利要求1所述的一種集成電阻倒裝LED芯片，其特征在于：所述絕緣介質(5)采用無機絕緣材料制成。
4.根據權利要求1所述的一種集成電阻倒裝LED芯片，其特征在于：所述第二層P型金屬電極(602)和所述第二層N型金屬電極(802)均呈矩形。
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