[實用新型]一種集成電阻倒裝LED芯片

有效

• 申請號: 201922397442.5
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN210778649U
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 常文斌
• 申請（專利權）人: 無錫新仕嘉半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京智客聯合知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11700
• 代理人: 楊群

本實用新型公開了一種集成電阻倒裝LED芯片，包括藍寶石襯底，藍寶石襯底上設置有氮化鎵外延層，氮化鎵外延層上設置P型電極和N型電極，氮化鎵外延層的外壁上設置有一層絕緣介質，P型電極和N型電極均延伸至絕緣介質外側；P型電極包括第一層P型金屬電極和第二層P型金屬電極，第一層P型金屬電極和第二層P型金屬電極之間設置有P型電阻層；N型電極包括第一層N型金屬電極和第二層N型金屬電極，第一層N型金屬電極和第二層N型金屬電極之間設置有N型電阻層。本實用新型在芯片電極中間制備一層電阻層，形成芯片內部集成電阻，減少外部串聯電阻使用，降低使用成本，縮小外部PCB板面積，縮小成品體積。

技術領域

本實用新型涉及LED芯片，具體是一種集成電阻倒裝LED芯片。

背景技術

目前市場倒裝LED芯片均不帶電阻，倒裝LED芯片在應用過程中，時常會和芯片外部電阻串聯使用，串聯電阻起到分壓和限制電流作用，限制電流避免倒裝LED芯片因為過流工作而燒毀。

因此，在使用時，倒裝LED芯片還需另外串聯外部電阻使用，導致外部PCB板面積增大，同時增大成品的體積，使得成本提高。

實用新型內容

為解決上述現有技術的缺陷，本實用新型提供一種集成電阻倒裝LED芯片，本實用新型在芯片電極中間制備一層電阻層，形成芯片內部集成電阻，減少外部串聯電阻使用，降低使用成本，縮小外部PCB板面積，縮小成品體積。

為實現上述技術目的，本實用新型采用如下技術方案：一種集成電阻倒裝LED芯片，包括藍寶石襯底，所述藍寶石襯底上設置有氮化鎵外延層，所述氮化鎵外延層上設置P型電極和N型電極，所述氮化鎵外延層的外壁上設置有一層絕緣介質，所述P型電極和所述N型電極均延伸至所述絕緣介質外側；

所述P型電極包括第一層P型金屬電極和第二層P型金屬電極，所述第一層P型金屬電極和所述第二層P型金屬電極之間設置有P型電阻層，所述P型電阻層包裹在所述第一層P型金屬電極露出所述絕緣介質的外壁上；

所述N型電極包括第一層N型金屬電極和第二層N型金屬電極，所述第一層N型金屬電極和所述第二層N型金屬電極之間設置有N型電阻層，所述N型電阻層包裹在所述第一層N型金屬電極露出所述絕緣介質的外壁上。

進一步地，所述氮化鎵外延層包括依次設置的氮化鎵外延N型層、氮化鎵外延發光層、氮化鎵外延P型層，所述氮化鎵外延N型層與所述藍寶石襯底緊密接觸連接。

進一步地，所述絕緣介質采用無機絕緣材料制成。

進一步地，所述第二層P型金屬電極和所述第二層N型金屬電極均呈矩形。

綜上所述，本實用新型取得了以下技術效果：

1、本實用新型在芯片電極中間制備一層電阻層，形成芯片內部集成電阻，不需額外串聯電阻，降低使用成本，縮小外部PCB板面積，縮小成品體積；

2、本實用新型內部集成電阻，可以兩個電極都集成電阻，也可以只在一個電極做集成電阻。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例提供的LED芯片主視圖；

圖2是本實用新型實施例提供的LED芯片剖面圖；

圖中，1、藍寶石襯底，2、氮化鎵外延N型層，3、氮化鎵外延發光層，4、氮化鎵外延P型層，5、絕緣介質，6、P型電極，601、第一層P型金屬電極，602、第二層P型金屬電極，7、P型電阻層，8、N型電極，801、第一層N型金屬電極，802、第二層N型金屬電極，9、N型電阻層。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型作進一步詳細說明。