[實(shí)用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201922388926.3
• 申請(qǐng)日: 2019-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN211929479U
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: E·杰加;蘇政揚(yáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 董莘

本公開的實(shí)施例涉及一種具有側(cè)壁連接的半導(dǎo)體封裝。提供了一種扇出晶圓級(jí)封裝包括半導(dǎo)體裸片，該半導(dǎo)體裸片在其側(cè)壁上具有再分布層。位于裸片上方的再分布層包括沿著側(cè)壁延伸的延伸部分。半導(dǎo)體裸片被包封在模塑料層中。模塑料層位于再分布層的延伸部分與半導(dǎo)體裸片的側(cè)壁之間。用于將半導(dǎo)體器件電連接到電子電路板的焊料觸點(diǎn)位于再分布層上。焊料觸點(diǎn)和再分布層的側(cè)壁可以在兩個(gè)不同的位置上提供電接觸。因而，該封裝可以用于通過提供豎直連接和水平連接來改善互連性。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種晶圓級(jí)封裝，該晶圓級(jí)封裝具有在半導(dǎo)體裸片的側(cè)壁上形成的用于在封裝中提供附加輸入/輸出端子的延伸再分布層。

背景技術(shù)

典型的半導(dǎo)體封裝包括輸入/輸出連接，以用于將半導(dǎo)體封裝與頂部表面上的其他各種外部電路連接。這些各種外部電路可以包括其他半導(dǎo)體封裝或印刷電路板或任何種類的外部電路。

在作為以晶圓級(jí)對(duì)集成電路(IC)進(jìn)行封裝的技術(shù)的、傳統(tǒng)的晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝(WLCSP)中，WLCSP通常通過安裝在半導(dǎo)體裸片上的焊料球，僅在封裝的頂部側(cè)上提供I/O連接。這種WLCSP封裝限制了封裝中I/O連接的數(shù)目，并且由于僅在封裝的頂部側(cè)上提供了I/O連接，所以限制了可以堆疊封裝的方式。

由于在傳統(tǒng)WLCSP結(jié)構(gòu)中的這種受限的應(yīng)用，因此封裝的尺寸無法滿足業(yè)界不斷增長的提供最小化尺寸封裝的需求。

實(shí)用新型內(nèi)容

本公開涉及一種利用WLCSP封裝的側(cè)壁區(qū)域以提供附加I/O 連接并且減小封裝尺寸的半導(dǎo)體封裝。因此，提供了一種半導(dǎo)體封裝以及制造這種半導(dǎo)體封裝的方法，該半導(dǎo)體封裝具有附加I/O 連接并且最小化半導(dǎo)體封裝的整體尺寸。也就是說，通過擴(kuò)大封裝中的I/O連接的數(shù)目，半導(dǎo)體封裝可以利用所提出的側(cè)壁I/O 連接與其他半導(dǎo)體封裝或電路水平地和豎直地堆疊。

本公開的另一方面是提供一種能夠在半導(dǎo)體封裝之間提供互連性改善的半導(dǎo)體封裝。

本公開的又一方面是提供一種能夠豎直和水平堆疊以增加在各個(gè)方向上的連接性的半導(dǎo)體封裝。

本公開的再一方面是提供一種可以以占據(jù)最小空間并且因此減小半導(dǎo)體器件的整體尺寸的3D結(jié)構(gòu)來堆疊的半導(dǎo)體封裝。

本公開的另一方面是提供一種通過使用傳統(tǒng)晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝凸塊形成工藝來制造具有附加I/O連接的半導(dǎo)體封裝的方法，而無需增加附加制造階段。這有助于維持整個(gè)制造過程的成本。

根據(jù)本公開的一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體裸片，包括第一表面和橫向于第一表面的第二表面；接觸焊盤，接觸焊盤在半導(dǎo)體裸片的第一表面上；再分布層，在半導(dǎo)體裸片的第一表面和接觸焊盤上，再分布層具有延伸部分，延伸部分從接觸焊盤延伸到半導(dǎo)體裸片的第二表面，延伸部分包括在半導(dǎo)體裸片的第二表面上的第一電觸點(diǎn)；以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，在再分布層上與接觸焊盤間隔開，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括在半導(dǎo)體裸片的第一表面上的第二電觸點(diǎn)。

在本公開的某些實(shí)施例中，第二電觸點(diǎn)包括凸塊下金屬結(jié)構(gòu)、焊料球或焊料凸塊。

在本公開的某些實(shí)施例中，第一電觸點(diǎn)和第二電觸點(diǎn)提供彼此不同的電信號(hào)。

在本公開的某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體裸片包括與第一表面相對(duì)的第三表面，并且延伸部分延伸越過第一表面到達(dá)半導(dǎo)體裸片的第三表面。

在本公開的某些實(shí)施例中，延伸部分從第一表面到半導(dǎo)體裸片的第三表面覆蓋第二表面。

在本公開的某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還包括：鈍化層，鈍化層在再分布層與半導(dǎo)體裸片之間，鈍化層與接觸焊盤的第一部分重疊。

在本公開的某些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件還包括：第一電介質(zhì)層，第一電介質(zhì)層在再分布層與鈍化層之間，第一電介質(zhì)層與接觸焊盤的第二部分重疊，第二部分在接觸焊盤的第一部分與接觸焊盤的第三部分之間，接觸焊盤的第三部分與再分布層接觸。