[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201922388926.3
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN211929479U
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: E·杰加;蘇政揚
• 申請（專利權）人: 意法半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體裸片，包括第一表面和橫向于所述第一表面的第二表面；

接觸焊盤，所述接觸焊盤在所述半導體裸片的所述第一表面上；

再分布層，所述再分布層在所述半導體裸片的所述第一表面和所述接觸焊盤上，所述再分布層具有延伸部分，所述延伸部分從所述接觸焊盤延伸到所述半導體裸片的所述第二表面，所述延伸部分包括在所述半導體裸片的所述第二表面上的第一電觸點；以及

導電結構，所述導電結構在所述再分布層上與所述接觸焊盤間隔開，所述導電結構包括在所述半導體裸片的所述第一表面上的第二電觸點。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第二電觸點包括凸塊下金屬結構、焊料球或焊料凸塊。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一電觸點和所述第二電觸點提供彼此不同的電信號。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體裸片包括與所述第一表面相對的第三表面，并且所述延伸部分延伸越過所述第一表面到達所述半導體裸片的所述第三表面。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述延伸部分從所述第一表面到所述半導體裸片的所述第三表面覆蓋所述第二表面。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

鈍化層，所述鈍化層在所述再分布層與所述半導體裸片之間，所述鈍化層與所述接觸焊盤的第一部分重疊。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

第一電介質層，所述第一電介質層在所述再分布層與所述鈍化層之間，所述第一電介質層與所述接觸焊盤的第二部分重疊，所述第二部分在所述接觸焊盤的所述第一部分與所述接觸焊盤的第三部分之間，所述接觸焊盤的所述第三部分與所述再分布層接觸。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

第二電介質層，所述第二電介質層在所述再分布層上；以及

所述導電結構，包括：

金屬化層，所述金屬化層在所述再分布層上與所述接觸焊盤間隔開。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

模具保護層，所述模具保護層在所述半導體裸片的所述第二表面與所述再分布層的所述延伸部分之間。

10.一種半導體器件，其特征在于，包括：

第一半導體裸片，包括第一表面、第二表面和第三表面；

第一再分布層，所述第一再分布層在所述第一半導體裸片的所述第一表面上，所述第一再分布層具有延伸部分，所述延伸部分從所述第一表面延伸到所述第二表面；

第二半導體裸片，包括第四表面、第五表面和第六表面，所述第二半導體裸片的所述第四表面面向所述第一半導體裸片的所述第三表面；

第二再分布層，所述第二再分布層在所述第二半導體裸片的所述第六表面上，所述第二再分布層具有延伸部分，所述延伸部分從所述第六表面延伸到所述第五表面。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

導電連接，電連接所述第一再分布層和所述第二再分布層。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述導電連接包括焊料凸塊、焊料接頭、焊料球、或引線鍵合。

13.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述第一半導體裸片的所述第二表面和所述半導體裸片的所述第五表面共面。