[實用新型]一種晶圓級封裝芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922382822.1
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN211350634U
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊佩佩;金科;李永智;賴芳奇;呂軍
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州科陽光電科技有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/498;H01L23/48
• 代理公司: 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32257
• 代理人: 王玉仙

本實用新型涉及晶圓級封裝技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種晶圓級封裝芯片。通過基底進行減薄處理，TSV孔里的金屬和硅基底的背金連接在一起，可實現(xiàn)小尺寸超薄芯片的晶圓級封裝，同時滿足散熱要求；縮減接地線路的封裝電阻，降低電感效應(yīng)，提升芯片性能，減少接地焊墊的連線數(shù)量，減少貴金屬的使用，減小封裝面積，有效降低成本；采用在圖形化的增粘層上制作種子層和金屬背金層，可避免發(fā)生鼓泡分層等結(jié)合力不足問題，提升可靠性，同時解決了散熱問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及晶圓級封裝技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種晶圓級封裝芯片。

背景技術(shù)

現(xiàn)有芯片封裝時，芯片背面有塑封料層，不僅不利于芯片散熱還會增加封裝后的厚度，同時接地焊墊和信號焊墊都是通過打金線(wirebonding)的方法實現(xiàn)電氣性能連接，一般接地焊接連線數(shù)量多，不僅需要消耗大量的貴金屬，而且封裝基板上面需要設(shè)置較大面積的接地焊墊，增大封裝面積，導(dǎo)致成本高。同時背金材料多為為銅，容易發(fā)生氧化，對后續(xù)加工有時間限制和環(huán)境限制，一旦氧化，對產(chǎn)品可靠性有嚴重影響。

實用新型內(nèi)容

本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種可實現(xiàn)小尺寸超薄芯片的晶圓級封裝減少接地焊墊的連線數(shù)量，有效降低成本，提升可靠性的晶圓級封裝芯片。

為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

一種晶圓級封裝芯片，包括晶圓，所述晶圓包括硅基底以及集成電路，所述集成電路設(shè)置在所述硅基底上，所述集成電路包括內(nèi)部絕緣層、接地焊墊、信號焊墊，所述內(nèi)部絕緣層設(shè)置在所述硅基底上，所述接地焊墊、信號焊墊設(shè)置在所述內(nèi)部絕緣層上，所述硅基底上設(shè)置有增粘層，所述晶圓上設(shè)置有TSV孔，所述TSV孔底部局部或者全部漏出接地焊墊，所述硅基底背面以及TSV孔內(nèi)壁上設(shè)置有種子層，所述種子層上設(shè)置有背金層。

優(yōu)選的，所述硅基底厚度為50-200μm。

優(yōu)選的，所述增粘層厚度為0.14-20μm。

優(yōu)選的，所述增粘層的形狀為方形、圓形或不規(guī)則多邊形。

優(yōu)選的，所述TSV孔呈梯形結(jié)構(gòu)，其上開口寬度大于下開口寬度，其上開口形狀可以為圓形、方形或者多邊形。

優(yōu)選的，增粘層為有機材料或者二氧化硅材料中的任意一種，增粘層形狀為方形、圓形或不規(guī)則多邊形。

本實用新型的有益效果：

通過基底進行減薄處理，TSV孔里的金屬和硅基底的背金連接在一起，可實現(xiàn)小尺寸超薄芯片的晶圓級封裝，同時滿足散熱要求；縮減接地線路的封裝電阻，降低電感效應(yīng)，提升芯片性能，減少接地焊墊的連線數(shù)量，減少貴金屬的使用，減小封裝面積，有效降低成本；采用在圖形化的增粘層上制作種子層和金屬背金層，可避免發(fā)生鼓泡分層等結(jié)合力不足問題，提升可靠性，同時解決了散熱問題。

附圖說明

圖1-圖10是本實用新型的一種晶圓級封裝方法流程示意圖。

圖11是本實用新型的一種晶圓級封裝芯片結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中標(biāo)號說明：101、玻璃；102、晶圓；102-1、硅基底；102-2、內(nèi)部絕緣層；102-3、接地焊墊；102-4、信號焊墊；103、臨時鍵合材料；104、增粘層；105、TSV孔；106、種子層；107、背金層；111、單顆芯片；

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步說明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好地理解本實用新型并能予以實施，但所舉實施例不作為對本實用新型的限定。

參照圖1-圖10所示，一種晶圓級封裝方法，具體步驟包括：