[實用新型]一種晶圓級封裝芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201922382822.1
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN211350634U
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設計）人: 楊佩佩;金科;李永智;賴芳奇;呂軍
• 申請（專利權）人: 蘇州科陽光電科技有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/498;H01L23/48
• 代理公司: 蘇州市中南偉業(yè)知識產權代理事務所(普通合伙) 32257
• 代理人: 王玉仙

1.一種晶圓級封裝芯片，其特征在于，包括晶圓，所述晶圓包括硅基底以及集成電路，所述集成電路設置在所述硅基底上，所述集成電路包括內部絕緣層、接地焊墊、信號焊墊，所述內部絕緣層設置在所述硅基底上，所述接地焊墊、信號焊墊設置在所述內部絕緣層上，所述硅基底上設置有增粘層，所述晶圓上設置有TSV孔，所述TSV孔底部局部或者全部漏出接地焊墊，所述硅基底背面以及TSV孔內壁上設置有種子層，所述種子層上設置有背金層。

2.如權利要求1所述的晶圓級封裝芯片，其特征在于，所述硅基底厚度為50-200μm。

3.如權利要求1所述的晶圓級封裝芯片，其特征在于，所述增粘層厚度為0.14-20μm。

4.如權利要求1所述的晶圓級封裝芯片，其特征在于，所述增粘層的形狀為方形、圓形或不規(guī)則多邊形。

5.如權利要求1所述的晶圓級封裝芯片，其特征在于，所述TSV孔呈梯形結構，其上開口寬度大于下開口寬度，其上開口形狀可以為圓形、方形或者多邊形。

6.如權利要求1所述的晶圓級封裝芯片，其特征在于，增粘層為有機材料或者二氧化硅材料中的任意一種，增粘層形狀為方形、圓形或不規(guī)則多邊形。